基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一个实施方式，基板的处理发生在基板处理装置处，所述基板处理装置包括：主腔室，其具有敞口顶部形状，并且具有在所述主腔室的一个侧部上形成的用于所述基板的入口和出口的直通路径；基座，其安装在所述主腔室内，并且在所述基座上放置有所述基板；腔室盖，其安装在所述主腔室的敞口顶部上并具有位于所述基座的顶部处的顶部安装空间，并且具有设置在所述顶部安装空间的外部的气体供应通道；加热块，其安装在所述顶部安装空间中，并且加热所述基板；以及气体供应口，其连接到所述气体供应通道，并且向处理空间供应处理气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置
本文中公开的本专利技术涉及用于处理基板的装置，并且更具体地，涉及其中在基板的上方外部中限定气体供应通道以将处理气体供应到处理空间中的基板处理装置。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，需要基板在高温下的均匀热处理。半导体器件制造工艺的示例可以包括化学汽相沉积和硅外延生长处理，其中，在气态下在反应器内的基座(susceptor)上放置的半导体基板上沉积材料层。该基座可以通过电阻加热、射频加热和红外线加热的方式加热到从约400℃至约1250℃的范围的高温。另外，气体可以经过反应器，因此可以通过该气体在气态下的化学反应在非常靠近基板的表面处发生沉积处理。由于该反应，可以在基板上沉积期望的产品。半导体器件包括硅基板上的多个层。这些层通过沉积处理沉积在基板上。沉积处理具有对评估沉积的层和选择沉积方法重要的若干重要问题。首先，重要问题的一个示例是沉积层中的每个的“质量”。“质量”表示成分、污染程度、缺陷密度以及机械和电特性。沉积的层的成分可以根据沉积条件而改变。这对获得特定成分非常重要。其次，重要问题的另一个示例是晶圆上的均匀厚度。具体地，沉积在具有台阶(stepped)部分的非平面形状的图案上沉积的层的厚度非常重要。这里，可以通过台阶覆盖范围(coverage)来确定沉积的膜的厚度是否均匀，该台阶覆盖范围被定义为在该台阶部分上沉积的膜的最小厚度除以在该图案上沉积的膜的厚度的比值。关于沉积的其它问题可以是填充空间。这表示间隙填充，其中，包括氧化物层的绝缘层被填充到金属线之间。提供间隙以使这些金属线彼此物理和电隔离。在这些问题当中，均匀性是与沉积处理有关的非常重要的问题中的一个。非均匀层会导致金属线上的高电阻，从而增加机械损坏的可能性。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供了一种基板处理装置，其中，在与处理空间分隔开的上部安装空间外部限定气体供应通道以供应处理气体。本专利技术还提供了一种基板处理装置，其中，在与处理空间分隔开的上部安装空间中安装加热器以控制基板的温度。参照下列详细描述和附图，本专利技术的其它目的将变得显而易见。技术解决方案本专利技术的实施方式提供了基板处理装置，所述基板处理装置包括：主腔室，其具有敞口上侧部；基座，其设置在所述主腔室内，以使得基板能够被放置在所述基座上；腔室盖，其设置在所述主腔室的所述敞口上侧部上，所述腔室盖包括在所述基座上方限定的上部安装空间和设置在所述上部安装空间的外部的气体供应通道；加热块，其设置在所述上部安装空间中，以加热所述基板；以及气体供应口，其连接到所述气体供应通道，以将处理气体供应到处理空间中。在某些实施方式中，所述主腔室可以包括在其侧部中限定的通道，使得所述基板通过所述通道被装载或卸载，并且所述基板处理装置还可以包括辅助气体喷嘴，所述辅助气体喷嘴设置在所述通道的侧部上，从而与所述基座相邻，以喷射惰性气体。在其它实施方式中，所述基板处理装置还可以包括扩散板，所述扩散板设置在所述气体供应通道的下端部上，以扩散通过所述气体供应口供应的所述处理气体。在其它实施方式中，所述气体供应通道和所述扩散板中的每一个可以具有与所述基座同心的圆弧形状，所述气体供应通道和所述扩散板中的每一个具有与所述基板的直径大体上相等的宽度。在其它实施方式中，所述主腔室可以具有下部安装空间，所述下部安装空间从所述主腔室的底部表面凹进，并且在所述下部安装空间中设置有所述基座，并且所述基板处理装置还可以包括喷嘴环，所述喷嘴环设置在所述下部安装空间中以围绕所述基座，所述喷嘴环向上喷射惰性气体。在其它实施方式中，所述主腔室可以包括排气通道，所述排气通道限定在与所述气体供应通道相对的侧部中，并且所述基板处理装置还可以包括流动导向件，所述流动导向件设置在所述基座的外部，以引导从所述气体供应通道供应的所述处理气体朝向所述排气通道。在另外的实施方式中，所述流动导向件可以包括：圆形导向部件，其具有与所述基座同心的圆弧形状，所述圆形导向部件具有多个导向孔，所述处理气体经过所述多个导向孔；以及直线导向部件，其连接到所述圆形导向部件的两个侧部并且分别设置在所述基座的两个侧部上，所述直线导向部件中的每一个具有与将所述气体供应通道的中心连接到所述排气通道的中心的直线大体上平行的导向表面。在另外的实施方式中，所述主腔室可以具有下部安装空间，所述下部安装空间从所述主腔室的底部表面凹进，并且在所述下部安装空间中设置有所述基座，并且所述气体供应通道可以设置在所述主腔室的所述底部表面上方和所述下部安装空间的外部。有益效果根据本专利技术的实施方式，可以在与处理空间分隔开的上部安装空间中安装加热器，以控制基板的温度。此外，可以在上部安装空间外部设置用于供应处理气体的气体供应通道，以朝基板在一个方向上均匀地供应处理气体。附图说明图1是根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意图；图2是例示了当图1的基板处理装置执行处理时处理气体的流动的图；以及图3是例示了处理气体在图2的处理空间内的流动的剖面图。具体实施方式在下文中，将参照图1至图3详细描述本专利技术的示例性实施方式。然而，本专利技术可以以不同的形式来实现，并且不应当被理解为局限于在本文中所陈述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得该公开将是彻底和完整的，并且将本专利技术的范围充分传达给本领域技术人员。在这些图中，为了示例的清晰起见，夸大了组件的形状。另外，虽然基板被作为示例来描述，但是本专利技术可适用于待处理的各个对象。图1是根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的示意图。参照图1，基板处理装置1包括主腔室10和腔室盖50。主腔室10具有敞口(opened)上侧部。另外，在主腔室10的侧部中限定了通过其可到达基板W的通道8。在通道8的外部设置了门阀5。可以由门阀5开启或关闭通道8。基座20安装在主腔室10内，以对在该基座20上放置的基板W进行加热。基座20具有与基板W的形状对应的圆盘形状。基板W可以被安置(seated)在基座20的上表面上，以执行沉积处理。举升销25可以穿过基座20。通过通道8传送的基板W装载在举升销25的上部上。举升销25可以由举升销驱动部件27抬起。当装载基板W时，举升销驱动部分27可以下降，以使得该基板W能够被安置在基座20上。腔室盖50设置在主腔室10的敞口上侧部上。主腔室10、腔室盖50和将稍后描述的加热块60可以提供与外部阻隔的内部空间。基板W通过通道8被装载到处理空间中。可以在处理空间内执行对基板W的处理。腔室盖50设置在基座20上方，以提供与处理空间分隔开的上部安装空间。从基板W的上侧部对该基板W进行加热的加热块60设置在上部安装空间52中。加热块60具有敞口上侧部。加热块盖68封闭加热块60的敞口上侧部，以将加热块60的内部与外部隔离。因此，加热块60内部限定的容纳空间61与内部空间分隔，并且与外部阻隔。加热器65设置在容纳空间61中。Kanthal加热器可以被用作加热器65。Kanthal可以是Fe-Cr-Al合金，其中，铁被用作主要材料。因此，Kanthal可以具有高的热阻和电阻。另外，工作者可以打开加热块盖68以接近加热器65。因此，可以容易维护和维修加热器65。这里，由于容纳空间61与处理空间分隔，因此当维护和维修加热器65时，不需要将处理空间的真空状态转换成大气状态。也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：主腔室，其具有敞口上侧部；基座，其设置在所述主腔室内，以使得基板能够被放置在所述基座上；腔室盖，其设置在所述主腔室的所述敞口上侧部上，所述腔室盖包括在所述基座上方限定的上部安装空间和设置在所述上部安装空间的外部的气体供应通道；加热块，其设置在所述上部安装空间中，以加热所述基板；以及气体供应口，其连接到所述气体供应通道，以将处理气体供应到处理空间中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.28 KR 10-2012-00943841.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：主腔室，其具有下部安装空间和敞口顶部，所述下部安装空间从所述主腔室的底部表面凹进；基座，其设置在所述主腔室的所述下部安装空间中，以使得基板能够被放置在所述基座上；腔室盖，其设置在所述主腔室的所述敞口顶部上，所述腔室盖包括形成在所述腔室盖的中心部的上部安装空间和设置在与所述上部安装空间分隔开的所述腔室盖的边缘部中的气体供应通道；加热块，其设置在所述上部安装空间中，以加热所述基板；以及气体供应口，其连接到所述气体供应通道，以将处理气体供应到所述主腔室中，其中，所述气体供应通道朝向所述主腔室的所述底部表面开口，以向所述主腔室的所述底部表面喷射经由所述气体供应口供应的所述处理气体，其中，所述处理气体与所述主腔室的所述底部表面碰撞以使所述处理气体被扩散和散射。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：在所述主腔室的侧部中限定的通道，使得所述基板通过所述通道被装载或卸载，以及辅助气体喷嘴，所述辅助气体喷嘴设置在所述通道的侧部上，从而与所述基座相邻，以喷射惰性气体。3.根据权利要求1所述的基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁日光，宋炳奎，金劲勋，金龙基，申良湜，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR