气相成长装置的污染量测定方法及磊晶晶片的制造方法制造方法及图纸

进行气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻来对气相成长装置的腔室内进行清洁（S1）。继而，实施热处理步骤，在氢气气氛下对既定片数的硅晶片逐片依次进行热处理步骤（S2、S3）。以既定次数重复实施这些气相蚀刻步骤及热处理步骤。即，当未到达既定次数时（S4：否），再次实施气相蚀刻步骤及热处理步骤（S1、S2）。在热处理步骤中，使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的顺序不变。在气相蚀刻步骤及热处理步骤已实施既定次数之后（S4：是），将各晶片表面的污染回收，利用ICP—MS测定Mo浓度（S5）。根据各Mo浓度的值或Mo浓度间的关是，来评价气相成长装置的清洁度（S6）。从而提供一种能高精度地测定气相成长装置的污染量的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相生长装置的污染量测定方法及外延晶片的制造方法
本专利技术涉及一种测定气相生长装置的污染量的方法、及利用该方法制造外延晶片的方法。
技术介绍
近年来，作为CCD(ChargeCoupledDevice电荷耦合器件)或CIS(ContactImageSensor，接触式影像传感器)等摄像组件用基板，会使用在硅晶片上气相生长硅膜的硅外延晶片。这种摄像组件用的外延晶片中，重要的是降低晶片中重金属的杂质水平。因为，若晶片内存在重金属杂质，则会产生称为白瑕疵(白点)的不良状况。一般而言，在高温下使外延膜气相生长以制造外延晶片。因此，当形成外延膜时，若气相生长装置的腔室内存在金属杂质，则所制造的外延晶片会受到金属杂质的污染。该金属污染源，包括例如用作原料的硅结晶或含硅化合物，还包括当维护(清洁)气相生长装置时所附着的金属杂质、构成腔室的素材中所含的金属杂质、装置及管道是统中通常使用的不锈钢成分等。先前，已知测定外延晶片内的金属杂质，根据其测定结果来评价制造该外延晶片的气相生长装置的清洁度(污染程度)的方法(例如，参照专利文献1)。专利文献1的方法是利用晶片寿命(waferlifetime)(以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气相成长装置的污染量的测定方法，其特征在于包含如下步骤：气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻而对气相成长装置的腔室内进行清洁；热处理步骤，在经上述气相蚀刻后的上述腔室内在非氧化性气氛下对既定片数的晶片逐片地依次进行热处理；及测定步骤，测定在上述热处理步骤中经热处理后各晶片表面上的金属杂质的浓度，作为上述气相成长装置的污染量；以既定的次数重复实施上述气相蚀刻步骤及上述热处理步骤，在上述热处理步骤中使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的晶片的顺序不变，当上述气相蚀刻步骤及上述热处理步骤已实施上述既定的次数之后实施上述测定步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.16 JP 2012-2291981.一种气相生长装置的污染量的测定方法，其特征在于包含如下步骤：气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻而对气相生长装置的腔室内进行清洁；热处理步骤，在经上述气相蚀刻后的上述腔室内在非氧化性气氛下对既定片数的晶片逐片地依次进行热处理；及测定步骤，测定在上述热处理步骤中经热处理后各晶片表面上的金属杂质的浓度，作为上述气相生长装置的污染量；以既定的次数重复实施上述气相蚀刻步骤及上述热处理步骤，在上述热处理步骤中使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的晶片的顺序不变，当上述气相蚀刻步骤及上述热处理步骤已实施上述既定的次数之后实施上述测定步骤。2.根据权利要求1所述的气相生长装置的污染量测定方法，其中，上述非氧化性气氛为氢气气氛。3.根据权利要求1或2所述的气相生长装置的污染量测定方法，其中，上述既定的片数为3片以上。4.根据权利要求1所述的气相生长装置的污染量测定方法，其中，上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井刚，稻田聪史，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP