高频装置用基板及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是一种高频装置用基板，其是在SOI基板上形成氮化物半导体膜而成的高频装置用基板，其中，所述SOI基板是形成于基底基板上的陷阱富集层与由单晶硅构成的SOI层隔着氧化膜接合而成的TRSOI基板，所述SOI层的电阻率为1kΩ·cm以上，晶面方位为(111)，氧浓度为14.8ppma以下。由此，提供一种高频特性优异的高频装置用基板及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及高频装置用基板及其制造方法。

技术介绍

1、以gan为代表的氮化物半导体被期待作为超越作为硅(si)的材料的极限的下一代的半导体材料。近年来，进行了通过在单晶硅基板上进行氮化物半导体的外延生长来制造高频装置。另外，在高频装置中，观察到由基板引起的特性劣化、因基板导致的损耗及第二高次谐波特性、第三高次谐波特性劣化。

2、一般而言，高频装置用基板使用高电阻率基板，进行gan层等的外延生长，制作高频装置。使用高电阻率基板，使讯号不会从外延层流动至衬底si基板。此外，当在高电阻率硅基板上层叠氮化物半导体外延层时，通过设计缓冲层作为应力缓和层，从而层叠氮化物半导体外延层。

3、此外，如专利文献1、2所述，作为高频装置用基板，正在普及通常设置有富陷阱(tr)层的tr基板，并且，通过使用高电阻率基板从而提升频率特性。该专利文献1等记载了一种在高电阻率的基底基板上由tr层、介电质层(埋藏氧化膜)、半导体层构成的结构。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本专利第7098851号

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【技术保护点】

1.一种高频装置用基板，其是在SOI基板上形成氮化物半导体膜而成的高频装置用基板，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的高频装置用基板，其特征在于，所述SOI层的氧浓度为5.2ppma以下。

3.根据权利要求1所述的高频装置用基板，其特征在于，所述SOI层的氧浓度为0.5ppma以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的高频装置用基板，其特征在于，所述基底基板是晶面方位为(100)的CZ单晶硅基板。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的高频装置用基板，其特征在于，所述基底基板的电阻率为1kΩ·cm以上。

6.根据权利要求4所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种高频装置用基板，其是在soi基板上形成氮化物半导体膜而成的高频装置用基板，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的高频装置用基板，其特征在于，所述soi层的氧浓度为5.2ppma以下。

3.根据权利要求1所述的高频装置用基板，其特征在于，所述soi层的氧浓度为0.5ppma以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的高频装置用基板，其特征在于，所述基底基板是晶面方位为(100)的cz单晶硅基板。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的高频装置用基板，其特征在于，所述基底基板的电阻率为1kω·cm以上。

6.根据权利要求4所述的高频装置用基板，其特征在于，所述基底基板的电阻率为1kω·cm以上。

7.一种高频装置用基板的制造方法，其是在soi基板上形成氮化物半导体膜而成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：萩本和德，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：