【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过x射线形貌仪（xrt）而实行的晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法。
技术介绍
1、x射线形貌仪（xrt）是广泛用于结晶材料、特别是以硅晶圆为代表的半导体器件材料的缺陷观察的装置。xrt与x射线ct的测量原理不同，并不是检测透射率的不同而是检测衍射光栅的畸变。因此，虽然仅能够适合于单晶，但是能够检测非常小的缺陷。
2、利用xrt的透射法，可得知晶圆整体的缺陷位置，但是无法获得该缺陷的深度信息等。所谓的半导体器件材料的缺陷的深度信息，是用以确定该缺陷是否会影响到器件不良的非常重要的信息。近年来，利用xrt，为了获得深度信息，已能获得剖面形貌、和组合多个该剖面形貌而获得的三维的形貌，但是为了获得剖面形貌，需要非常长时间的测量，而为了获得需要多个该剖面形貌信息的三维数据，需要花费更多的时间，并且，该测量需要利用强x射线产生装置的放射光等，限制较多。
3、如此这般，先前，通过将剖面形貌图像重叠而实行三维的数据化是困难的，但是近年来，开发出一种能够实现缺陷的三维数据化的方法（例如，专利文献1）。但是，即便是...
【技术保护点】
1.一种晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法，是采用X射线形貌仪（XRT）来评价晶圆的深度方向的缺陷位置的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法，其特征在于，对所述表面从右方向和左方向以成为衍射条件的入射角度来入射X射线的方法是：对右方向、左方向中的任一方向固定入射角度，入射X射线而取得XRT图像，然后使所述晶圆旋转180度，入射X射线而取得另一个方向的XRT图像，由此取得所述右眼图像和所述左眼图像这两个XRT图像。
3.如权利要求1或2所述的晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法，其特征在于，在所述缺陷位...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法，是采用x射线形貌仪（xrt）来评价晶圆的深度方向的缺陷位置的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法，其特征在于，对所述表面从右方向和左方向以成为衍射条件的入射角度来入射x射线的方法是：对右方向、左方向中的任一方向固定入射角度，入射x射线而取得xrt图像，然后使所述晶圆旋转180度，入射x射线而取得另一个方向的xrt图像，由此取得所述右眼图像和所述左眼图像这两个xrt...
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