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本发明是一种高频装置用基板，其是在SOI基板上形成氮化物半导体膜而成的高频装置用基板，其中，所述SOI基板是形成于基底基板上的陷阱富集层与由单晶硅构成的SOI层隔着氧化膜接合而成的TRSOI基板，所述SOI层的电阻率为1kΩ·cm以上，晶面...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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