【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电半导体装置的制造技术，尤其涉及一种IIι-v族晶圆可重复进行磊晶制程的方法与构造。
技术介绍
发光二极管芯片与太阳能电池的芯片已经是一种已被广泛应用于光学装置的半导体组件。其中，发光二极管不但体积小，具有寿命长、驱动电压低、反应速率快、耐震等特性，且能够配合各种应用设备轻、薄、以及小型化的需求。因此，已逐渐运用于日常生活中十分普及的电子产品。 发光二极管芯片与太阳能电池的芯片可以使用单晶结构的III-V族晶圆，例如砷化镓(GaAs)，在其上制造所需要的并且晶格系数匹配的磊晶组件结构，例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)。其中，发光二极管的发光原理是将电能转换为光，也就是对化合物半导体施加电流，透过电子与电洞的结合，将能量转换成光的形式释出，而达成发光的效果。基本上，发光二极管是由一 P型与一 N型的半导体层以及夹置于二者间的一发光层(lightemitting layer)所组成，并且发光二极管必须藉由嘉晶(epitaxial)的方式制作而成。然依目前的现有做法，在磊晶制程之后有去除III-V族晶圆与不去除晶圆两种作法，然而III-V族晶圆...
【技术保护点】
一种III?V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：提供一III?V族晶圆，具有一正面与一背面；进行第一次磊晶制程，使磊晶结构形成于该正面上，其中该磊晶结构包含镭射吸收层与组件作动层；压贴转换基板于该磊晶结构上；由该背面照射一镭射光，其中该镭射光为具有一特定波长，以使该III?V族晶圆相对于该镭射光为透明并以该镭射吸收层吸收该镭射光而分解；以及剥离出该III?V族晶圆，使其与已结合上该组件作动层的该转换基板相分离。
【技术特征摘要】
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