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本发明公开了一种Ⅲ-Ⅴ族晶圆可重复进行磊晶制程的方法与构造，依照该方法，进行第一次磊晶制程，使一磊晶结构形成于Ⅲ-Ⅴ族晶圆的正面上，其中磊晶结构包含一镭射吸收层与一组件作动层。压贴一转换基板于磊晶结构上。由该背面照射一具有特定波长的镭射光，...
该专利属于郑朝元;戴言培所有，仅供学习研究参考，未经过郑朝元;戴言培授权不得商用。

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