一种纳米级图形化衬底的制造方法技术

本发明专利技术提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，该方法先利用多孔阳极氧化铝在掩膜层上形成排布均匀的金属纳米颗粒，使用激光对金属纳米颗粒进行升温，使金属纳米颗粒的温度达到掩膜层的熔点，从而熔化与金属纳米颗粒接触的掩膜层，达到图形化掩膜层的目的，进而利用掩膜层图形化衬底。具有工艺简单，工艺成本低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED制造
，尤其涉及。
技术介绍
在LED制造技术工艺中，由于蓝宝石衬底材料与外延材料从晶格常数、热涨系数到折射率都相差很大。这些物理性质差异直接导致衬底上生长的外延材料质量不高，致使LED内量子效率(IQE)受到限制，进而影响外量子效率(EQE)以及光效的提高。为了提高LED效率，业界引入了图形化的低温缓冲层，所述图形化的低温缓冲层可以提高内量子效率，具体地说，先在衬底上外延生长低温缓冲层，然后对所述低温缓冲层进行图形化，之后再生长其它外延层。如此，即需要外延生长-图形化-再次外延生长三个步骤，使得工艺复杂、费时。因此，图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate, PSS)技术被引入,其与之前的方法不同点在于，PSS技术将原来低温缓冲层上的图形做到了衬底上，也就是说图形化衬底而非图形化低温缓冲层，这样就克服了上述缺点。PSS技术能提高LED效率的原理在于能够有效的减少差排密度，减少外延生长缺陷，提升外延片品质，减少非辐射复合中心，提高了内量子效应；另外，光子在蓝宝石界面的PSS结构处发生散射，使本来应在出射面发生全反射的光得以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层上贴装多孔阳极氧化铝薄膜；在所述多孔阳极氧化铝薄膜的孔洞中形成金属纳米颗粒，所述掩膜层的比热容大于所述金属纳米颗粒的比热容，所述金属纳米颗粒的熔点大于所述掩膜层的熔点；去除所述多孔阳极氧化铝薄膜；利用激光照射所述金属纳米颗粒，使所述金属纳米颗粒的温度达到所述掩膜层的熔点，以形成图形化的掩膜层；去除所述金属纳米颗粒；以所述图形化的掩膜层作为掩膜刻蚀所述衬底；去除所述图形化的掩膜层，形成纳米级图形化衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毕少强，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：