用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体技术，特别是涉及一种用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法，依次按粘胶、研磨、抛光、脱胶、退火、清洗步骤加工，粘胶步骤在常温下采用胶水使两片基片胚料粘接在一块共同加工，研磨步骤采用变速旋转方式分多次对粘接后的基片胚料进行双面研磨使基片减薄，抛光步骤使用抛光液采用双面抛光的方式，脱胶步骤通过加热粘接的基片胚料使其开胶，再使用乙醇或热碱溶液使其去胶，退火步骤采用高温垒片退火；本发明专利技术解决了现有蓝宝石基片的加工工艺都是针对普通衬底，而且生产效率低的问题，提供一种生产效率高、加工成本低并且加工较完善的用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体技术，特别是涉及一种用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法。
技术介绍
目前，氮化镓LED大部分使用蓝宝石基片做衬底，但是普通衬底的应用领域因亮度而受限，因此为了达到当今快速发展的照明及背光等高亮度应用领域的要求，图形化衬底应运而生，成为现在市场的主流。图形化衬底对蓝宝石基片有一定规格要求，而现在蓝宝石基片的加工工艺都是针对普通衬底，而且生产效率低。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种生产效率高、加工成本低并且加工较完善的。本专利技术的，依次按粘胶、研磨、抛光、脱 胶、退火、清洗步骤加工完成；所述粘胶步骤在常温下采用胶水使两片基片胚料粘接在一块共同加工，胶水的流动性要比蜡好的多，粘好后所形成的胶层也比蜡层要薄，可以更好的避免对加工质量的影响，所述研磨步骤采用变速旋转方式分多次对粘接后的基片胚料进行双面研磨使基片减薄，这样可以逐步降低基片的表面粗糙度，避免蓝宝石在加工过程中出现大的内应力而出现事故， 所述抛光步骤使用抛光液采用双面抛光的方式； 所述脱胶步骤通过加热粘接的基片胚料使其开胶，再使用乙醇或热碱溶液使其去胶； 所述退火步骤采用高温垒片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于图形化衬底的蓝宝石基片的加工方法，其特征在于：依次按粘胶、研磨、抛光、脱胶、退火、清洗步骤加工；所述粘胶步骤在常温下采用胶水使两片基片胚料粘接在一块共同加工；所述研磨步骤采用变速旋转方式分多次对粘接后的基片胚料进行双面研磨使基片减薄；所述抛光步骤使用抛光液采用双面抛光的方式；所述脱胶步骤通过加热粘接的基片胚料使其开胶，再使用乙醇或热碱溶液使其去胶；所述退火步骤采用高温垒片退火。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李建明，
申请(专利权)人：长治虹源科技晶片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：