生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用技术

本发明专利技术公开了一种生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜，其采用金属Ag为衬底，选择Ag衬底的（111）晶面偏向（100）方向0.5－1°的晶体取向，在金属单晶Ag(111)衬底上采用脉冲激光沉积生长法生长出外延AlN薄膜。本发明专利技术的生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜可应用于LED器件、光电探测器、太阳能电池器件、激光器、薄膜体声波谐振器中。本发明专利技术采用了Ag作为衬底，且选择合适的晶体取向，无论是在缺陷密度、表面粗糙度、还是在结晶质量方面均具有优异性能，优于目前已经报道的应用传统衬底获得的AlN薄膜的相关结果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种AlN薄膜，具体涉及一种生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
发光二极管(即LED)作为一种新型固体照明光源和绿色光源，由于具有体积小、耗电量低、环保、使用寿命长、高亮度、低热量以及多彩等突出的特点，在室外照明、商业照明以及装饰工程等领域广泛应用。当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、 减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，将成为经济发展的重要方向。在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光。LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将是以LED为代表的新型照明光源的时代。但是，现阶段LED的应用成本较高，发光效率较低，这些因素大大限制了 LED向高效节能环保的方向发展。III A族氮化物AlN (即是氮化铝)在电学、光学以及声学上具有极其优异的性质，近几年来受到广泛关注。AlN是直接带隙材料，其声波传输速度快、化学和热稳定性好，热导率高、热膨胀系数低、击穿介电强度高，是制造高效的薄膜体声波谐振器、LED器件等电器件的理想材料。目前，氮化物LED本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜的制备方法，其特征在于：采用金属Ag为衬底，选择Ag衬底的（111）晶面偏向（100）方向0.5－1°的晶体取向，在金属单晶Ag(111)衬底上生长出外延AlN薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：广州市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：