一种肖特基势垒二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种肖特基势垒二极管，通过在沟道层上设置采用渐变Al组分超晶格结构的势垒层，提升了肖特基势垒二极管的二维电子气浓度，使得肖特基势垒二极管的外延质量不因材料应力的影响而下降，有效降低了横向结构肖特基势垒二极管的漏电流，从而提升了肖特基势垒二极管的截止频率。本实用新型专利技术可广泛应用于半导体技术领域。于半导体技术领域。于半导体技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基势垒二极管


[0001]本技术涉及半导体
，尤其是一种肖特基势垒二极管。

技术介绍

[0002]高频肖特基势垒二极管(SBD)为实现高功率、长距离、全天候无线传能的微波整流电路中的重要组件，利用金属与半导体接触形成的金属—半导体结制成。其中，GaN材料因其宽带隙、高击穿场强、高饱和电子速度等材料特性，是实现高频大功率二极管的最佳选择。
[0003]目前高频GaN SBD的常见结构为在硅衬底上依次外延生长AlN成核层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，随后沉积欧姆接触的阴极和肖特基接触的阳极，通过调节阳极电压控制AlGaN/GaN异质结所形成的二维电子气导通与否来控制器件的开关。然而，肖特基接触的阳极引入了较大的结电容，且欧姆接触的阴极引入了较大的串联电阻，使得GaN SBD的截止频率无法得到有效提升。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本技术提供了一种肖特基势垒二极管。
[0005]本技术所采取的技术方案是：
[0006]一种肖特基势垒二极管，包括：
[0007]衬底；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：衬底；成核层，设置在所述衬底的一侧；沟道层，设置在所述成核层远离所述衬底的一侧；势垒层，设置在所述沟道层远离所述成核层的一侧，所述势垒层采用渐变Al组分超晶格结构；电极层，设置在所述势垒层远离所述沟道层的一侧，所述电极层包括肖特基接触的阳极和欧姆接触的阴极。2.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述衬底包括金刚石衬底、蓝宝石衬底、GaN衬底、硅衬底和碳化硅衬底中的任意一种。3.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述成核层的厚度为15
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50nm。4.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述沟道层为非故意掺杂的GaN层。5.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒二极管，其特征在于，所述势垒层的单周期厚度为3

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：广州市众拓光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：