【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种新的镀膜掩膜结构,特别是涉及一种适合集成多通道滤光片用的纳米掩膜结构。
技术介绍
随着光学薄膜滤光片朝着尺寸减小和高度集成化发展,多通道集成滤光片阵列的通道更多、体积更小、集成度更高,其制作难度越来越高。对于集成度高的多通道集成滤光片,目前通常采用光刻胶作为掩膜。利用光刻胶作为掩膜的方法为,首先在基片上进行甩胶,然后通过曝光、显影,在基片上留出需要镀膜的通道,再镀制滤光片膜层,去掉光刻胶完成相应通道的制作,如此往复,直至完成集成多通道滤光片的制作。光刻胶掩膜为疏松膜层,通常较厚(厚度通常为几个微米),在镀膜时可能形成阴影区,从而引起通道内膜层不均匀。镀制某些膜层时需要较高的基底温度,容易引起光刻胶变性、流动或去胶困难,严重的可能造成对镀膜腔的污染;另外,光刻胶容易与丙酮等溶剂反应,与基片结合性差,在后续处理中容易发生脱胶现象,会降低产品良率。
技术实现思路
为克服现有技术的不足,本技术的目的在于提供一高产品良率、高效的集成多通道滤光片用的纳米掩膜结构。为实现上述目的,本技术通过以下技术方案实现:一种集成多通道滤光片用的纳米掩膜结构,包括:集成多通道滤光片8和纳米掩膜结构,该纳米掩膜结构包括:光刻胶1,其为正型光刻胶、负型光刻胶中的一种;滤光片基片2,其位于所述光刻胶下方;掩膜板4,位于所述光刻胶上表面;紫外光3,其以紫外曝光的方式设于所述掩膜板上方;纳 ...
【技术保护点】
一种集成多通道滤光片用的纳米掩膜结构,其特征在于,包括:集成多通道滤光片(8)和纳米掩膜结构,该纳米掩膜结构包括:光刻胶(1),其为正型光刻胶、负型光刻胶中的一种;滤光片基片(2),其位于所述光刻胶下方;掩膜板(4),位于所述光刻胶上表面;紫外光(3),其以紫外曝光的方式设于所述掩膜板上方;纳米掩膜膜层(5),其位于所述滤光片基片上方,纳米掩膜膜层的厚度为0.5微米‑5微米;滤光片通道(6),其设于所述纳米掩膜膜层上;滤光片膜层(7),其以蒸镀的方式设于滤光片通道的上表面。
【技术特征摘要】
1.一种集成多通道滤光片用的纳米掩膜结构,其特征在于,包括:集成多通道滤光片(8)和纳米掩膜结构,该纳米掩膜结构包括:
光刻胶(1),其为正型光刻胶、负型光刻胶中的一种;
滤光片基片(2),其位于所述光刻胶下方;
掩膜板(4),位于所述光刻胶上表面;
紫外光(3),其以紫外曝光的方式设于所述掩膜板上方;
纳米掩膜膜层(5),其位于所述滤光片基片上方,纳米掩膜膜层的厚度为0.5微米-5微米;
滤光片通道(6),其设于所述纳米掩膜膜层上;
滤光片膜层(7),其以蒸镀的方式设于滤光片通道的上表面。
2.如权利要求1所述的集成多通道滤光片用的纳米掩膜结构,其特征在于,所述负型光刻胶与正型光刻胶所对应的掩膜板不同,两种掩膜板的透光区与遮光区互补。
3.如权利要求2所述的集成多通道滤光片用的纳米掩膜结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:周东平,
申请(专利权)人:苏州晶鼎鑫光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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