一种吸气剂图形化的掩膜方式制造技术

一种吸气剂图形化的掩膜方式，所述该方式包括如下具体步骤：步骤一、材料准备；步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片，放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面凸起与掩膜片表面凹槽对应，利用掩膜片表面凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合；步骤四、平铺放置薄膜保护层；步骤五、放置铝制压块；步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；步骤七、放置铝制压块盖板。该掩膜方式，操作简单，利用掩膜片表面的凹槽，配合铝制压块以及强力磁铁，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且还能使掩膜片与硅片更加贴合，防止镀制的吸气剂衍出。

【技术实现步骤摘要】
一种吸气剂图形化的掩膜方式
本专利技术涉及材料成型
，特别涉及一种吸气剂图形化的掩膜方式。
技术介绍
吸气剂可分为蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂两大类，蒸发型吸气剂主要依靠蒸发形成薄膜的过程吸附气体。在8英寸晶圆上镀制吸气剂，可以为晶圆创造良好的工作环境，稳定晶圆的特性参量，对晶圆的性能及使用寿命有重要的影响，但是晶圆上有凸起，用传统的平片掩膜片，会造成掩膜片与硅片不贴合，从而使镀制的吸气剂衍出，造成吸气剂尺寸不可控，功能不可控，影响很大，为此，我们提出一种吸气剂图形化的掩膜方式。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种吸气剂图形化的掩膜方式，可以有效解决
技术介绍
中的问题。一种吸气剂图形化的掩膜方式，所述该方式包括如下具体步骤：步骤一、材料准备；步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片；步骤四、平铺放置薄膜保护层；步骤五、放置铝制压块；步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；步骤七、放置铝制压块盖板。>进一步的，步骤一中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：所述该方式包括如下具体步骤：/n步骤一、材料准备；/n步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；/n步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片；/n步骤四、平铺放置薄膜保护层；/n步骤五、放置铝制压块；/n步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；/n步骤七、放置铝制压块盖板。/n

【技术特征摘要】
1.一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：所述该方式包括如下具体步骤：
步骤一、材料准备；
步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；
步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片；
步骤四、平铺放置薄膜保护层；
步骤五、放置铝制压块；
步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；
步骤七、放置铝制压块盖板。


2.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤一中准备的材料有掩膜片、硅片、薄膜保护层、铝制压块、强力磁铁以及铝制压块盖板，且掩膜片表面设有凹槽，硅片表面有凸起。


3.根据权利要求2所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤一中所述掩膜片的厚度为0.2mm，所述硅片表面的凸起厚度为100μm，掩膜片表面的凹槽与硅片表面的凸起对应。


4.根据权利要求2所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤三中在放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面的凸起与掩膜片表面的凹槽对应，利用掩膜片表面的凹槽，不仅可以限...

【专利技术属性】
技术研发人员：于莎莎，
申请(专利权)人：苏州晶鼎鑫光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32