一种大功率氮化物LED结构及其制造方法技术

本发明专利技术一种大功率氮化物LED结构，在衬底的一面生长缓冲层、第一未掺杂GaN层、n型层、有源层、p型层、第二未掺杂GaN层、透明导电层并设置p电极和n电极，所述第二未掺杂GaN层生长在p型层与透明导电层之间，其厚度为20～100nm，具有粗糙化的表面结构；在透明导电层上制作p电极；将外延结构蚀刻至露出或接近露出缓冲层，在缓冲层上或第一未掺杂GaN层上制作n电极。本发明专利技术制造方法的要点是：在p型层上生长第二未掺杂GaN层，在第二未掺杂GaN层上生长透明导电层，然后制作p电极和n电极。本发明专利技术可形成电容式结构，提高出光效率，降低压电效应的影响，改善电流拥堵现象，减少LED器件的发热，提高产品的竞争能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术专利涉及半导体制造领域，具体涉及一种大功率氮化物LED结构及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种能将电信号转换成光信号的结构型电致发光的半导体器件。氮化镓(GaN)基发光二极管作为固态光源一经出现便以其高效率、长寿命、节能环保、体积小等优点被誉为继电灯后人类照明史上的又一次革命，成为国际半导体和照明领域研发与产业关注的焦点。以氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铟铝镓(AlGaInN)为主的III V族氮化物材料具有连续可调的直接带宽为O. 7 6. 2eV,它们覆盖了从紫外光到红外光的光谱范围，是制造蓝光、绿光和白光发光器件的理想材料。现有常规的GaN基氮化物LED结构(参见图I )，为在蓝宝石衬底101的一面外延生长缓冲层102、未掺杂GaN层103、η型层104、有源层105、ρ型层106、透明导电层107 ;在透明导电层107的上表面设置P电极108并在缓冲层102的上表面设置η电极109 (参见图2)。所述P电极108和η电极109位于蓝宝石衬底101的同一侧。半导体发光器件工作室的电流从P电极108流经P型层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率氮化物LED结构，在衬底的一面包括缓冲层、第一未掺杂GaN层、n型层、有源层、p型层、透明导电层、p电极和n电极，其特征在于，在p型层与透明导电层之间夹有一层第二未掺杂GaN层，在所述透明导电层上制作p电极；将外延结构蚀刻至露出缓冲层或接近露出缓冲层，在所述缓冲层上或者接近露出缓冲层的第一未掺杂GaN层上制作n电极；所述p型层为掺Mg?GaN结构层，其厚度为50～300nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛进营，杨旅云，王明辉，夏成，吴东平，张国龙，陈晓鹏，常志伟，
申请(专利权)人：施科特光电材料昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：