【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮化物半导体发光装置，更具体地讲，本专利技术涉及一种具有改善的发光效率和电可靠性的氮化物半导体发光装置。
技术介绍
氮化物半导体发光装置是一种根据其组成比率而能够覆盖宽范围的波长(包括蓝光段波长和绿光段波长)的光源，近来氮化物半导体发光装置已经引起了越来越多的兴趣，并且氮化物半导体发光装置已经被广泛用于全色显示器、图像扫描器、各种信号系统和光通信装置。如此，为了在实际中广泛地应用氮化物半导体发光装置的过程中得到提高的光效率和可靠性，对氮化物半导体发光装置的研发已经增多。作为实现这一目标的方法，已经考虑降低阈值电压Vf的方案。可以预期的是通过减小热值量来获得提高的可靠性和延长的寿命，同时可以通过降低发光二极管(LED)的阈值电压来提高光效率。在这个方案中，可以用高浓度(例如，lX102°/cm3或者更高)P型杂质(例如，Mg)来掺杂P-GaN层，从而以关于电极具有高逸出功的p-GaN接触层形成欧姆接触层。这样掺杂的高杂质浓度由于其缺陷而会引起接触层的晶体性质劣化及透光率劣化。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化...
【技术保护点】
一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及形成在p型氮化物半导体层与n型氮化物半导体层之间的活性层；p侧电极和n侧电极，p侧电极电连接至p型氮化物半导体层，n侧电极电连接至n型氮化物半导体层；以及接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈炫旭，李东柱，申东益，金荣善，浅井诚，孙俞利，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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