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本发明一种大功率氮化物LED结构，在衬底的一面生长缓冲层、第一未掺杂GaN层、n型层、有源层、p型层、第二未掺杂GaN层、透明导电层并设置p电极和n电极，所述第二未掺杂GaN层生长在p型层与透明导电层之间，其厚度为20～100nm，具有粗糙...
该专利属于施科特光电材料(昆山)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过施科特光电材料(昆山)有限公司授权不得商用。

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