本发明一种大功率氮化物LED结构，在衬底的一面生长缓冲层、第一未掺杂GaN层、n型层、有源层、p型层、第二未掺杂GaN层、透明导电层并设置p电极和n电极，所述第二未掺杂GaN层生长在p型层与透明导电层之间，其厚度为20～100nm，具有...

本发明提供一种提高蓝宝石研磨质量的方法，先在蓝宝石衬底内部通过激光隐形切割技术得到一系列平行于蓝宝石衬底定位边的烧蚀图形，然后再对所述蓝宝石衬底进行研磨。由于烧蚀后蓝宝石衬底晶体结构被破坏，因此蓝宝石衬底背面受应力变化时，对蓝宝石衬底正...

本实用新型涉及半导体照明技术领域，是适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，芯片的电极由网络状的电极与金属焊盘构成，采用的电极至少具有中心反演对称性和绕垂直于芯片中心法线的二次轴对称性和四次轴对称型，即芯片绕中心法线旋转180度、2...

本发明涉及LED芯片的设计与制造，是一种高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其步骤包括：⑴提供蓝宝石衬底；⑵形成复式GaN半导体层；⑶生长透明导电层和三个电极；⑷切割道的深刻蚀；⑸侧壁填充；⑹减薄蓝宝石衬底和⑺切割、裂片、扩膜。本发...

本发明提供一种深刻蚀切割发光二极管芯片的方法，先于半导体衬底表面形成包括多个发光单元的发光原件；然后制作在各该发光单元的交接处形成刻蚀窗口的保护层；从各该刻蚀窗口进行刻蚀形成裂片走道；接着于各该裂片走道内填充绝缘材料并从背面对所述半导体...

本实用新型适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极，含有P、N电极，所述P电极为含有ITO薄膜、P面金属焊盘和P面ITO条形电极的复合电极：ITO薄膜覆盖在P型氮化镓表面，P面金属焊盘设置在P型GaN表面的一端，P面ITO条形电极与P面...

本发明涉及半导体照明技术领域，是适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，芯片的电极由网络状的电极与金属焊盘构成，采用的电极至少具有中心反演对称性和绕垂直于芯片中心法线的二次轴对称性和四次轴对称型，即芯片绕中心法线旋转180度、270...

本发明适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极，含有P、N电极，所述P电极为含有ITO薄膜、P面金属焊盘和P面ITO条形电极的复合电极：ITO薄膜覆盖在P型氮化镓表面，P面金属焊盘设置在P型GaN表面的一端，P面ITO条形电极与P面金属...