适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体照明技术领域，是适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，芯片的电极由网络状的电极与金属焊盘构成，采用的电极至少具有中心反演对称性和绕垂直于芯片中心法线的二次轴对称性和四次轴对称型，即芯片绕中心法线旋转180度、270度和360度时电极均能重合；在垂直于芯片中心轴投影平面上，N型电极沟槽将外延层中N型GaN层之上的部分划分为多个独立的不相接触的单元，使各个单元之间彼此不受影响；本实用新型专利技术中电极对称要素较多，使电流分布更为均匀，有效地改善了芯片发热不均的问题；由于P型金属焊盘与N型金属焊盘的高对称性，在打线时能选择性地接通P型金属焊盘与N型金属焊盘，提高了打线的灵活性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体照明
，尤其涉及一种适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，它电流分布均匀，具有较好的光电特性。
技术介绍
LED是新一代固态光源，它具有体积小、耗电量低、使用寿命长、高发光效率、低热量、环保节能、坚固耐用等诸多优点，因而具有广阔的应用市场。目前LED已在背光源、交通灯、大屏幕显示、汽车照明、装饰照明等领域得到了广泛应用。随着GaN基LED技术的不断成熟与发展，基于GaN基大功率LED芯片的照明灯具将有望成为第四代照明光源，具有极其广泛的应用前景。·目前，商品化的GaN基发光二极管往往是在碳化硅、单晶硅以及蓝宝石衬底上通过化学气相沉积的方法外延制备获得。GaN基发光二极管一般有三种结构第一种是正装结构，其芯片的P型电极和N型电极在同一面。第二种是倒装结构，其发光二极管芯片倒扣在单晶硅上，芯片的P型电极和N型电极通过相应电极键合在单晶硅上。第三种是垂直结构，其P型电极和N型电极分别设置在LED外延层的两侧。采用蓝宝石衬底的GaN基发光二极管通常采用第一种的正装结构和第二种的倒装结构。在正装结构中，一般是通过对外延片表面刻蚀形成台面结构，将P型电极与N型电极设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，含有衬底、P型电极和N型电极，在所述衬底的P型氮化镓GaN的表面覆盖有ITO薄膜层，其特征在于，所述衬底由网络状的沟槽（2）分割成若干对称分布的台面（1），所述沟槽（2）深入到台面（1）N型的GaN层，但不对N型的GaN层作分割，而是将N型的GaN层及其外延的N型GaN层之上的量子阱层、超晶格层分割为互不相连的部分；沿台面（1）外圈的沟槽（2）形成“L”形台面；所述P型电极包含P型金属电极（6）和P型金属焊盘，设置在台面（1）表面的P型ITO薄膜层（3）上；所述N型电极为包含N型金属电极（4）与N型金属焊盘（6）的网络状电极，所述N型金属电极（4...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨旅云，张国龙，曹凤凯，刘献伟，张宇欣，赵明，田光磊，吴东平，陈晓鹏，常志伟，李浩，
申请(专利权)人：施科特光电材料昆山有限公司，
类型：实用新型
国别省市：