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本实用新型涉及半导体照明技术领域，是适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，芯片的电极由网络状的电极与金属焊盘构成，采用的电极至少具有中心反演对称性和绕垂直于芯片中心法线的二次轴对称性和四次轴对称型，即芯片绕中心法线旋转180度、270...该专利属于施科特光电材料(昆山)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过施科特光电材料(昆山)有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及半导体照明技术领域，是适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极，芯片的电极由网络状的电极与金属焊盘构成，采用的电极至少具有中心反演对称性和绕垂直于芯片中心法线的二次轴对称性和四次轴对称型，即芯片绕中心法线旋转180度、270...