一种大功率GaN基发光二极管结构及其制作方法技术

一种大功率GaN基发光二极管结构及其制作方法，涉及光电技术领域。本发明专利技术结构包括衬底和在衬底上依次外延生长的N型氮化镓层、有源发光层、P型氮化镓层。P型氮化镓层的上方为透明导电层，透明导电层上的一端置有P型电极，N型氮化镓层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是，所述透明导电层分隔成为多个小面积的导电层块，各导电层块之间用金属电极连接起来并且都连接到P型电极。同现有技术相比，本发明专利技术能有效提高大电流注入情况下的电流注入效率，从而提高发光二极管器件的发光效率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电
，特别是大功率GaN基发光二极管结构及其制作方法。
技术介绍
基于宽禁带半导体材料的发光器件一直是半导体光电子学领域研究和开发的重点。特别是以III-V族氮化物材料为代表蓝绿色发光二极管的研制成功，使得发光二极管可以实现全色彩发光，并逐步迈向白光照明时代。发光二极管由于具有低能耗、长寿命、重量轻、体积小等优点，目前已广泛应用于信号显示、显示器背光源、交通信号指示、户外广告显示屏以及景观照明等领域。但从目前的实际情况来看，大功率发光二极管在民用照明市场的广泛应用仍存在技术和价格等方面的诸多问题，在这些问题中，最重要的就是大注入电流条件下发光二极管的发光效率和热稳定性问题。目前，大功率GaN基发光二极管的通常制作方法是，采用叉指型电极结构，利用刻蚀的方法形成N型电极接触区域，然后制备P型和N型欧姆接触电极，最后进行衬底的减薄并切割成单个的GaN基LED芯片。由于P型GaN载流子浓度偏低，注入电流不能有效的转化为过剩载流子，使得正面出光的LED器件中P型欧姆接触问题一直是一个技术难点。为了使注入电流在P型和N型电极之间均匀扩展，P型电极应覆盖较大面积的P型GaN层，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率GaN基发光二极管结构，它包括衬底(11)和在衬底(11)上依次外延生长的N型氮化镓层(121)、有源发光层(122)、P型氮化镓层(123)，P型氮化镓层(123)的上方为透明导电层(13)，透明导电层(13)上的一端置有P型电极(141)，N型氮化镓层(121)上、与P型电极(141)相对的另一端置有N型电极(142)；其特征在于，所述透明导电层(13)分隔成为多个小面积的导电层块(131)，各导电层块(131)之间用金属电极(132)连接起来并且都连接到P型电极(141)。

【技术特征摘要】
1.一种大功率GaN基发光二极管结构，它包括衬底(11)和在衬底(11)上依次外延生长的N型氮化镓层(121)、有源发光层(122)、P型氮化镓层(123)，P型氮化镓层(123)的上方为透明导电层(13)，透明导电层(13)上的一端置有P型电极(141)，N型氮化镓层(121)上、与P型电极(141)相对的另一端置有N型电极(142);其特征在于，所述透明导电层(13)分隔成为多个小面积的导电层块(131)，各导电层块(131)之间用金属电极(132)连接起来并且都连接到P型电极(141)。2.根据权利要求I所述的大功率GaN基发光二极管结构，其特征在于，所述导电层块(131)形状为正方形、长方形、平行四边形或者以及其它任意形状的小面积结构。3.一种大...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东海，李志翔，
申请(专利权)人：南通同方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：