功率二极管装置的处理方法及设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种功率二极管装置的处理方法，包括以下步骤：首先，提供经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品；接着，将经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品置于一高挥发性溶剂中，并进行一双频超声波的震荡清洗步骤，以去除经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品上残留的干式蚀刻的污染物；最后，将经双频超声波的震荡清洗后的至少一所述功率二极管装置半成品进行一第二次清洗步骤。采用本发明专利技术的处理方法，可大幅提升功率二极管表面的微粒污染的清除效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体元件的清洗技术，特别是指一种可大幅提升微粒清洁的效果的功率二极管装置的处理方法及设备。
技术介绍
功率二极管是一种用途相当广泛的电子元件，同时也是构成电子电路的重要构成单元之一；一般来说，一个良好的功率二极管必须同时具备低导通电压、高切换速度、及高崩溃电压等特性，而功率二极管的洁净程度通常会对这些特性产生相当大的不良影响。影响功率二极管的电气特性的污染源主要有空气中的灰尘、操作人员和机台动作时造成的飞尘、及干式蚀刻残渣(如：碳、金属类、氧化物等)；在次微米/深次微米制程中，举凡在干式蚀刻或蚀刻后的表面处理步骤都需要用到去离子水或高挥发性溶剂来清洗制程半成品，以避免功率二极管受到污染。目前常用的清洗技术手段例如将制程半成品浸泡于高挥发性溶剂中并辅以超声波震荡的清洗方式，并无法有效地将制程中产生的微粒污染彻底清洗掉，因而造成产品良率无法提升。以压装式整流二极管的功率二极管元件为例作说明，其包括引线、基座以及位于引线和基座间的半导体晶片，三者经由焊接过程焊接在一起成为功率二极管半成品后，半导体晶片的P-N接面的侧相曝露面需要被清洁，以提高晶片耐压能力并降低漏电流。目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率二极管装置的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括以下步骤：提供经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品；将经干式蚀刻后的至少一所述功率二极管装置半成品置于一高挥发性溶剂中，并进行一双频超声波的震荡清洗步骤，以去除经干式蚀刻后的至少一所述功率二极管装置半成品上残留的干式蚀刻的污染物；以及将经双频超声波的震荡清洗后的至少一所述功率二极管装置半成品进行一第二次清洗步骤。

【技术特征摘要】
1.一种功率二极管装置的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括以下步骤：提供经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品；将经干式蚀刻后的至少一所述功率二极管装置半成品置于一高挥发性溶剂中，并进行一双频超声波的震荡清洗步骤，以去除经干式蚀刻后的至少一所述功率二极管装置半成品上残留的干式蚀刻的污染物；以及将经双频超声波的震荡清洗后的至少一所述功率二极管装置半成品进行一第二次清洗步骤。2.如权利要求1所述的功率二极管装置的处理方法，其中所述双频超声波的震荡清洗步骤的时间介于约40至120秒之间，所述第二次清洗步骤的时间介于约40至120秒之间。3.如权利要求1所述的功率二极管装置的处理方法，其中所述双频超声波的震荡清洗步骤包括同时或交替地对所述高挥发性溶剂施加一高频超声波及一低频超声波，所述高频超声波的频率范围介于约80至150KHz之间，所述低频超声波的频率小于50KHz。4.如权利要求1所述的功率二极管装置的处理方法，其中所述第二次清洗步骤包括利用另一高挥发性溶剂喷洒冲洗经双频超声波的震荡清洗后的至少一所述功率二极管装置半成品，以去除回沾到经双频超声波的震荡清洗后的至少一所述功率二极管装置半成品的表面的干式蚀刻的污染物。5.如权利要求4所述的功率二极管装置的处理方法，其中所述高挥发性溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇或丙酮，所述另一高挥发性溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇或丙酮。6.如权利要求1所述的功率二极管装置的处理方法，更包括将至少一经第二次清洗后的所述功率二极管装置半成品进行一干燥步骤。7.一种功率二极管装置的处理设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾庆伟，黄春雄，周致宏，林曦，吴欣航，
申请(专利权)人：朋程科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71