集成有肖特基二极管的功率器件制造技术

提出了一种集成有肖特基二极管的功率器件。根据本实用新型专利技术实施例的功率器件包括功率晶体管、肖特基二极管以及沟槽阻隔体，其中所述功率晶体管具有漏区，所述肖特基二极管形成于所述漏区中，所述沟槽阻隔体形成于所述肖特基二极管附近，可以用于降低所述肖特基二极管的反向泄漏电流。根据本实用新型专利技术实施例的功率器件具有良好的单向导通电流性能，并且反向泄漏电流较小。另外，根据本实用新型专利技术实施例的功率器件还可以消除或者至少降低由寄生BJT引起的载流子注入衬底的问题。再者，根据本实用新型专利技术实施例的功率器件还可以具有改善的反向击穿电压，并且尺寸也可能减小。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施例涉及半导体器件，尤其涉及集成有肖特基二极管的高压晶体管器件。
技术介绍
在电源管理电路中经常需要用到这样的功率器件，其包括功率晶体管以及与该功率晶体管集成一体的肖特基二极管。图IA简要示意出一种功率转换电路100，该功率转换电路100基于包含有功率晶体管101以及与该功率晶体管串联的肖特基二极管103的功率器件PT而构建，用于将输入电压Vin转换为输出电压Vo。其中，功率器件101可以包括，例如结型场效应晶体管(JFET)，其具有栅极(G)，该栅极G连接至电气地。因此，无需再为JFET的栅极提供复杂的控制电路。然而，JFET是“常开”器件，其可以双向导通电流，即其既可以从漏极(D)到源极(S)导通电流，也可以从源极(S)到漏极(D)导通电流。因此，如果没有肖特基二极管103，当输出电压Vo大于输入电压Vin时，将有电流反向地从输出No 灌入输入Vin，而这种从输出No到输入Vin的电流反灌是需要避免的。肖特基二极管103正是用于阻止这种从输出Vo到输入Vin的电流反灌。图IB示出了流经肖特基二极管103和JFET 101的电流Iin与输入电压Vin的关系曲线示意图，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件，包括：半导体衬底；功率晶体管，形成于所述半导体衬底中，其中所述功率晶体管包括漏区、源区、栅区以及耦接所述漏区的漏极金属；沟槽阻隔体，形成于所述功率晶体管的漏区中，其中所述沟槽阻隔体包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽由所述漏区的一部分隔开；以及肖特基二极管，形成于所述第一沟槽和第二沟槽之间，其中所述肖特基二极管具有阳极和阴极，所述的阳极包括所述漏极金属，所述阴极包括所述漏区的一部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳徳·迪斯尼，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：