一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体制造技术

本实用新型专利技术涉及一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体，其半导体基板内的上部设有记忆体细胞；记忆体细胞包括PMOS访问晶体管、控制电容及编程电容；半导体基板内的上部设有若干隔离沟槽，隔离沟槽内设置有隔离介质以形成领域介质区域；记忆体细胞内的PMOS访问晶体管、控制电容及编程电容通过领域介质区域相互隔离；半导体基板的第一主面上淀积有栅介质层，栅介质层覆盖隔离沟槽的槽口并覆盖半导体基板的第一主面；PMOS访问晶体管、编程电容两侧隔离沟槽的顶角正上方均设置P+浮栅电极，P+浮栅电极位于栅介质层上，并与相应隔离沟槽的顶角相对应。本实用新型专利技术能与CMOS逻辑工艺兼容，提高数据保留时间，提高非挥发性记忆体的使用可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种非挥发性记忆体及其制备方法，尤其是一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体，属于集成电路的

技术介绍
对于片上系统(SoC)应用，它是把许多功能块集成到一个集成电路中。最常用的片上系统包括一个微处理器或微控制器、静态随机存取存储器(SRAM)模块、非挥发性记忆体以及各种特殊功能的逻辑块。然而，传统的非挥发性记忆体中的进程，这通常使用叠栅或分裂栅存储单元，与传统的逻辑工艺不兼容。非挥发性记忆体(NVM)工艺和传统的逻辑工艺是不一样的。非挥发性记忆体(NVM)工艺和传统的逻辑工艺合在一起的话，将使工艺变成一个更为复杂和昂贵的组合；由于SoC应用的非挥发记忆体典型的用法是在关系到整体的芯片尺寸小，因此这种做法是不·可取的。同时，由于现有非挥发性记忆体的工作原理使得写入数据容易丢失，影响使用的可靠性。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体，其结构紧凑，能与CMOS逻辑工艺兼容，提高数据保留时间，降低使用成本，提高非挥发性记忆体的使用可靠性。按照本技术提供的技术方案，所述提高数据存储时间的非挥发性记忆体，包括半导体基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高数据存储时间的非挥发性记忆体，包括半导体基板，所述半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞（100）；所述记忆体细胞（100）包括PMOS访问晶体管（110）、控制电容（120）及编程电容（130）；其特征是：所述半导体基板内的上部设有若干隔离沟槽（10），所述隔离沟槽（10）内设置有隔离介质以形成领域介质区域（14）；记忆体细胞（100）内的PMOS访问晶体管（110）、控制电容（120）及编程电容（130）通过领域介质区域（14）相互隔离；半导体基板的第一主面（32）上淀积有栅介质层（15），所述栅介质层（15）覆盖隔离沟槽（10）的槽口并覆盖半导体基板的第一主面（32）；P...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方英娇，方明，
申请(专利权)人：无锡来燕微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：