【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低成本的单一多晶架构的非挥发性记忆体,包括半导体基板;其特征是:所述半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞(200),所述记忆体细胞(200)中没有深井NWELL(Deep?NWELL),?所述记忆体细胞(200)包括PMOS晶体管(210)和控制电容(220);所述PMOS晶体管(210)、控制电容(220)间通过半导体基板内的领域介质区域(214)相互隔离;半导体基板的表面上淀积有栅介质层(215),所述栅介质层(215)上设有浮栅电极(216),所述浮栅电极(216)覆盖并贯穿PMOS晶体管(210)和控制电容(220)上方对应的栅介质层(215),浮栅电极(216)的两侧淀积有侧面保护层(217),侧面保护层(217)覆盖浮栅电极(216)的侧壁;PMOS晶体管(210)包括第一N型区域(202)及位于所述第一N型区域(202)内上部的P型源极区(213)与P型漏极区(221),控制电容(220)包括跟半导体基板相连的第二P型区域(205)及位于所述第二P型区域(205)内上部的第一P型掺杂区域(206)与第二P型掺杂区域(209)与上方的浮栅电极(216)相对应, ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:方英娇,方明,
申请(专利权)人:无锡来燕微电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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