【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非挥发性存储器，包括：深阱，其配备在基板上；第1阱，其配备在所述深阱区域内；第2阱，其配备在所述深阱区域内与所述第1阱隔离；第1场效应晶体管，其配备在所述第1阱上；和第2场效应晶体管，其配备在所述第2阱上。
【技术特征摘要】
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