一种磁阻式随机存储器的位元制造方法技术

本发明专利技术涉及磁阻式随机存储器(MRAM)，尤其涉及一种磁阻式随机存储器的位元制造方法，磁性隧道结的刻蚀完成之后，沉积氧化镁作为覆盖层覆盖磁性隧道结。本发明专利技术的有益效果在于：使用氧化镁来覆盖刻蚀完成后的磁性隧道结，经过退火工艺(或也可以不经过退火工艺)，通过氧化镁晶体结构对周围材料晶体结构的映衬效应可以有效修复被破坏的边缘部分的晶体结构，使其恢复到BCC(001)质构，从而有效降低刻蚀过程对磁性隧道结的磁阻值的影响，提高MRAM芯片的性能和良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁阻式随机存储器(MRAM)，尤其涉及。
技术介绍
MRAM是一种非易失型的存储器，其核心部分是磁性隧道结。每个磁性隧道结是由铁磁性的自由层和固定层以及隔离自由层和固定层的非磁性层组成。自由层的磁化方向可以利用外界磁场或电流而加以反转，而固定层的磁化方向保持不变。磁性隧道结的电阻与自由层和固定层的相对磁化方向有关。当自由层的磁化方向相对于固定层的磁化方向平行(反平行)时，磁性隧道结呈现低电阻(高电阻)态，因此可以用来存储信息(如O或I)。两个阻态之间的相对值定义为磁阻，高磁阻值对于MRAM的数据读取非常重要。目前磁性隧道结的核心层普遍使用的BCC(OOl)质构的磁性薄膜层/氧化镁MgO/磁性薄膜层来实现高磁阻值。在MRAM的制备过程中，核心部件磁性隧道结主要利用离子束刻蚀(1nmill)或反应离子刻蚀(Reactive 1n Etch，即RIE)方法来形成椭圆形(主要针对面内场的MRAM)或圆形(主要针对垂直场的MRAM)的柱状体。在刻蚀过程中，磁性隧道结边缘部分的BCC(OOl)质构会受到破坏，因而会造成磁阻值的降低;尤其对于高容量MRAM来说，由于需要刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻式随机存储器的位元制造方法，其特征在于，磁性隧道结的刻蚀完成之后，沉积氧化镁作为覆盖层覆盖磁性隧道结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑞盛，左正笏，李辉辉，徐庶，韩谷昌，孟皓，蒋信，刘波，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33