制造存储器装置的方法以及制造电子装置的方法制造方法及图纸

提供了一种制造存储器装置的方法以及制造电子装置的方法，所述制造存储器装置的方法包括：设置基底；在单元区域中形成沿垂直于基底的上表面的方向延伸的通道、交替地堆叠在基底上以邻近于通道的多个栅电极层和多个绝缘层；在设置在单元区域的外围的外围电路区域处的基底上形成多个电路元件；以及在位于单元区域和外围电路区域中的基底上形成层间绝缘层，层间绝缘层包括覆盖所述多个电路元件和所述多个栅电极层的至少一部分的第一(底)层间绝缘层以及设置在第一层间绝缘层上的第二(顶)层间绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
本专利申请要求于2014年5月26日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0062887号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种存储器装置。
技术介绍
电子产品正在不断地变小，同时它们趋向于具有更高程度的容量，以处理更大量的数据。因此，对于一种用于改善半导体存储器装置的集成度的方法，正在提出用具有竖直的晶体管结构的存储器装置来代替目前的平面晶体管结构。
技术实现思路
本公开的一方面可以提供一种存储器装置，在所述存储器装置中能够以简单的工艺形成层间绝缘层并且能够获得高水平的集成度。专利技术构思的技术目标不限于在下文中提供的公开内容；基于下面的描述对于本领域普通技术人员而言其他目标也可以变得明显。根据某些实施例，一种制造存储器装置的方法包括：设置基底；在单元区域中形成沿垂直于基底的上表面的方向延伸的通道、交替地堆叠在基底上以邻近于通道的多个栅电极层和多个绝缘层；在设置在单元区域的外围的外围电路区域处的基底上形成多个电路元件；以及在单元区域和外围电路区域中的基底上形成层间绝缘层，层间绝缘层包括覆盖所述多个电路元件和所述多个栅电极层的至少一部分的第一(底)层间绝缘层以及设置在第一层间绝缘层上的第二(顶)层间绝缘层。在一个实施例中，将第一层间绝缘层设置为邻近于位于所述多个栅电极层中的最上面的栅电极层上的通道。在一个实施例中，第一层间绝缘层形成为从外围电路区域处的所述多个电路元件中的至少一个电路元件连续地延伸到单元区域，以在至少一个栅电极层的顶表面的上方延伸。在一个实施例中，第一层间绝缘层形成为从最上面的栅电极层上的通道连续地延伸到在外围电路区域处的所述多个电路元件中的至少一个。在一个实施例中，第一层间绝缘层包括高密度等离子体(HDP)氧化物层，第二层间绝缘层包括原硅酸四乙酯(TEOS)氧化物层。在一个实施例中，单元区域包括通过所述多个栅电极层沿单一的方形延伸不同的长度设置的焊盘区域。在一个实施例中，在外围电路区域处，第一层间绝缘层的厚度与第二层间绝缘层的厚度之比在1:10至1:20之间。在一个实施例中，形成多个电路元件的步骤包括形成多个水平晶体管，第一层间绝缘层填充所述多个水平晶体管的晶体管之间的空间。在一个实施例中，所述方法还包括在形成堆叠在基底上的所述多个栅电极绝缘层和绝缘层之后形成第一层间绝缘层。在一个实施例中，第一层间绝缘层具有比第二层间绝缘层的间隙填充性质好的间隙填充性质，第二层间绝缘层具有比第一层间绝缘层的沉积速度高的沉积速度。根据某些实施例，一种制造存储器装置的方法包括：设置基底；在单元区域中形成沿垂直于基底的上表面的方向延伸的通道、交替地堆叠在基底上以邻近于通道的多个栅电极层和多个绝缘层，通道包括至少第一通道；形成设置在外围电路区域处的基底上的多个电路元件，所述多个电路元件与栅电极层分隔开；形成从所述多个电路元件的至少第一电路元件连续地延伸到单元区域以覆盖所述多个栅电极层的至少第一栅电极层的顶表面的第一层间绝缘层；以及形成覆盖所述多个栅电极层和第一层间绝缘层的第二层间绝缘层，使得第一层间绝缘层在基底和第二层间绝缘层之间。在一个实施例中，第一层间绝缘层设置为邻近于位于所述多个栅电极层中的最上面的栅电极层上的第一通道。在一个实施例中，所述方法还包括在形成堆叠在基底上的所述多个栅电极层和绝缘层之后形成第一层间绝缘层。在一个实施例中，所述方法还包括在基底的单元区域处将所述多个栅电极层形成为堆叠层，使得与堆叠层中的较高的栅电极层相比，在堆叠层中的较低的栅电极层进一步沿朝向外围电路区域的方向延伸。在一个实施例中，以台阶式的方式堆叠栅电极层和绝缘层，所述方法还包括形成第一层间绝缘层以覆盖栅电极层-绝缘层的堆叠层的多个台阶。在一个实施例中，第一层间绝缘层包括高密度等离子体(HDP)氧化物层，第二层间绝缘层包括原硅酸四乙酯(TEOS)氧化物层。在一个实施例中，形成所述多个电路元件的步骤包括形成多个水平晶体管，第一层间绝缘层填充所述多个水平晶体管的晶体管之间的空间。根据另外的实施例，一种制造电子装置的方法包括：设置基底；在单元区域中设置沿垂直于基底的上表面的方向延伸的通道，在基底上交替地堆叠多个栅电极层和多个绝缘层以邻近于通道；在设置在单元区域的外围的外围电路区域处的基底上设置多个电路元件；以及在单元区域和外围电路区域中的基底上设置层间绝缘层，层间绝缘层包括覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层和设置在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，其中，第一层间绝缘层设置在第二层间绝缘层和基底之间。第一层间绝缘层具有比第二层间绝缘层的间隙填充性质好的间隙填充性质，第二层间绝缘层具有比第一层间绝缘层的沉积速度高的沉积速度。在一个实施例中，第一层间绝缘层包括高密度等离子体(HDP)氧化物层，第二层间绝缘层包括原硅酸四乙酯(TEOS)氧化物层。在一个实施例中，第一层间绝缘层从所述多个电路元件的至少第一电路元件连续地延伸到所述多个栅电极层的至少第一部分，以覆盖所述至少第一电路元件和所述多个栅电极层的所述至少第一部分。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和其他优点，在附图中：图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的存储器装置的框图；图2是根据本公开中的示例性实施例的存储器装置的存储器单元阵列的等效电路图；图3是示出根据本公开的示例性实施例的存储器装置的结构的平面图；图4至图7是示出根据本公开中的示例性实施例的存储器装置的结构的透视图；图8A至图8J是示出制造图4中示出的存储器装置的示例性方法的图；图9A至图9H是示出制造图5中示出的存储器装置的示例性方法的图；图10A至图10L是示出制造图6中示出的存储器装置的示例性方法的图；图11A至图11O是示出制造图7中示出的存储器装置的示例性方法的图；图12和图13是示出包括根据本公开的示例性实施例的存储器装置的电子装置的框图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细地描述本公开中的实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来举例说明，并且不应该被解释为限制于在此阐述的特定实施例。在附图中，为了清晰起见，可夸大元件的形状和尺寸，并将始终使用相同的附图标记来表示相同或相似的元件。在这里使用的术语仅用于描述具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造存储器装置的方法，所述方法包括：设置基底；在单元区域中形成沿垂直于基底的上表面的方向延伸的通道、交替地堆叠在基底上以邻近于通道的多个栅电极层和多个绝缘层；在设置在单元区域的外围的外围电路区域处的基底上形成多个电路元件；以及在单元区域和外围电路区域中的基底上形成层间绝缘层，层间绝缘层包括覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层、覆盖所述多个栅电极层的一部分并设置在第一层间绝缘层和所述多个栅电极层的所述一部分之间的第二层间绝缘层以及设置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层上的第三层间绝缘层。

【技术特征摘要】
2014.05.26 KR 10-2014-00628871.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括：
设置基底；
在单元区域中形成沿垂直于基底的上表面的方向延伸的通道、交替地堆
叠在基底上以邻近于通道的多个栅电极层和多个绝缘层；
在设置在单元区域的外围的外围电路区域处的基底上形成多个电路元
件；以及
在单元区域和外围电路区域中的基底上形成层间绝缘层，层间绝缘层包
括覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层、覆盖所述多个栅电极层的一部
分并设置在第一层间绝缘层和所述多个栅电极层的所述一部分之间的第二层
间绝缘层以及设置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层上的第三层间绝缘
层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一层间绝缘层和第二层间绝缘
层具有基本相同的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一层间绝缘层的上表面和第二
层间绝缘层的上表面共面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，第三层间绝缘层的厚度大于第一
层间绝缘层的厚度和第二层间绝缘层的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一层间绝缘层和第二层间绝缘
层包括高密度等离子体氧化物层，第三层间绝缘层包括原硅酸四乙酯氧化物
层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成层间绝缘层的步骤包括：在
形成所述多个栅电极层之前形成第一层间绝缘层；在形成所述多个栅电极层
的所述一部分之后形成第二层间绝缘层；在形成所述多个栅电极层之后形成
第三层间绝缘层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个电路元件的步骤包
括形成多个水平晶体管，第一层间绝缘层填充在所述多个水平晶体管的晶体
管之间的空间。
8.根据权利要求1所述的方法，
其中，第一层间绝缘层和第二层间绝缘层具有比第三层间绝缘层的间隙

\t填充性质好的间隙填充性质；
其中，第三层间绝缘层具有比第一层间绝缘层和第二层间绝缘层的沉积
速度高的沉积速度。
9.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括：
设置基底；
在单元区域中形成沿垂直于基底的上表面的方向延伸的通道、交替地堆
叠在基底上以邻近于通道的多个栅电极层和多个绝缘层；
在设置在单元区域的外围的外围电路区域处的基底上形成多个电路元
件；以及
在单元区域和外围电路区域中的基底上形成层间绝缘层，层间绝缘层包
括设置在外围电路区域中并覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层和设置
在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，其中，第一层间绝缘层设置在第二
层间绝缘层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑元皙，李俊熙，金建秀，李淳永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR