存储器装置及其诊断方法制造方法及图纸

本公开提供一种存储器装置及其诊断方法。该存储器装置包括一数据储存单元及一数据控制单元。数据储存单元具有一第一储存区域及一第二储存区域。当数据控制单元设定为一读取状态时，数据控制单元依据位址信号存取第一储存区域及第二储存区域以取得一第一读取数据及一第二读取数据。数据控制单元依据第一读取数据及第二读取数据判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器装置，且特别涉及一种。
技术介绍
在数字系统中，存储器装置具有极高的读写速度，可用作缓冲处理器与输出入装置，以使数据可以正常地传送。然而，由于频繁的读写动作，可能导致存储器装置的储存区域损坏，进而影响了系统的运作。一般而言，存储器装置可通过外部装置或程序来检测，但通常是在储存区域严重损坏而导致系统无法运作时才会进行检测。然而，在系统无法运作时，储存区域的损坏已造成的损失，如何避免存储器装置的储存区域损坏而影响系统的运作则成为设计数字系统/数字元件的一个重点课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种，可提示使用者存储器装置的储存区域是否损坏。本专利技术的存储器装置，包括一数据储存单元及一数据控制单元。数据储存单元具有一第一储存区域及一第二储存区域。数据控制单元耦接数据储存单元。当数据控制单元设定为一读取状态且接收一位址信号时，数据控制单元依据位址信号存取第一储存区域以取得一第一读取数据，并且依据位址信号存取第二储存区域以取得一第二读取数据。数据控制单元依据第一读取数据及第二读取数据判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。在本专利技术的一实施例中，数据控制单元提供第一读取数据及第二读取数据的其中之一作为一输出数据。在本专利技术的一实施例中，当数据控制单元设定为一写入状态且接收位址信号及一输入数据时，数据控制单元依据输入数据产生一第一写入数据及一第二写入数据。数据控制单元依据位址信号将第一写入数据写入第一储存区域，并且依据位址信号将第二写入数据写入第二储存区域。在本专利技术的一实施例中，数据控制单元接收一控制信号以设定为读取状态或写入状态。在本专利技术的一实施例中，数据控制单元包括一诊断电路及一数据传输电路。诊断电路耦接数据储存单元。当数据控制单元为读取状态时，接收第一读取数据及第二读取数据，用以比较第一读取数据及第二读取数据以判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，以对应地提供状态判断信号，并且提供第一读取数据及第二读取数据的其中之一作为一输出数据。数据传输电路耦接诊断电路及数据储存单元。当数据控制单元为读取状态时，数据传输电路提供输出数据。当数据控制单元为写入状态时，数据传输电路依据输入数据产生第一写入数据及第二写入数据，并且依据位址信号将第一写入数据写入第一储存区域，以及依据位址信号将第二写入数据写入第二储存区域。在本专利技术的一实施例中，数据储存单元包括一记忆胞阵列、一列解码器、一行解码器及一感测放大器。记忆胞阵列具有第一储存区域及第二储存区域。列解码器耦接数据控制单元及记忆胞阵列，以受控于数据控制单元启动记忆胞阵列中对应位址信号的一记忆胞列。行解码器耦接数据控制单元及记忆胞阵列，以受控于数据控制单元启动记忆胞列中对应位址信号的多个记忆胞。感测放大器耦接记忆胞阵列。当数据控制单元为写入状态时，感测放大器将第一写入数据及第二写入数据写入启动的这些记忆胞。当数据控制单元为读取状态时，感测放大器依据启动的这些记忆胞的电压电平提供第一读取数据及第二读取数据。本专利技术的存储器装置的诊断方法，存储器装置具有一第一储存区域及一第二储存区域，包括下列步骤。判断存储器装置是否处于一读取状态。当存储器装置为读取状态时，依据一位址信号存取第一储存区域以取得一第一读取数据，并且依据位址信号存取第二储存区域以取得一第二读取数据。依据第一读取数据及第二读取数据判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。在本专利技术的一实施例中，第一读取数据及第二读取数据对应相同的数据。当第一读取数据完全相同于第二读取数据时，数据控制单元判定第一储存区域及第二储存区域未损坏。当第一读取数据未完全相同于第二读取数据时，数据控制单元判定第一储存区域及第二储存区域为损坏。在本专利技术的一实施例中，第二读取数据为第一读取数据的同位位元。当第一读取数据的同位位元相同于第二读取数据时，数据控制单元判定第一储存区域及第二储存区域未损坏。当第一读取数据的同位位元不同于第二读取数据时，数据控制单元判定第一储存区域及第二储存区域为损坏。基于上述，本专利技术实施例的，当记忆装置被读取时，数据控制单元同时读取第一储存区域及第二储存区域以取得第一读取数据及第二读取数据，以判断第一储存区域及第二储存区域是否损坏，并据此提供状态判断信号。因此，可通过状态判断信号提示使用者存储器装置的储存区域是否损坏。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。【附图说明】图1为依据本专利技术一实施例的存储器装置的系统示意图。图2为依据本专利技术一实施例的存储器装置的系统示意图。图3为依据本专利技术一实施例的存储器装置的诊断方法的流程图。附图标记说明:100、200:存储器装置110、210:数据储存单元111、211A:第一储存区域113、211B:第二储存区域120,220:数据控制单元211:记忆胞阵列213:列解码器215:行解码器217:感测放大器221:诊断电路223:数据传输电路ADR:位址信号CMD:控制信号DQ1:输入数据DQO:输出数据RDl:第一读取数据RD2:第二读取数据SDIA:状态判断信号WDl:第一写入数据WD2:第二写入数据S310、S320、S330:步骤【具体实施方式】图1为依据本专利技术一实施例的存储器装置的系统示意图。请参照图1，在本实施例中，存储器装置100包括数据储存单元110及数据控制单元120。数据储存单元110例如具有第一储存区域111及第二储存区域113。数据控制单元120耦接数据储存单元110。在本实施例中，数据控制单元120将所接收到的输入数据DQI写入至第一储存区域111，并且将输入数据DQI或输入数据DQI的其他信息写入至第二储存区域113。并且，数据控制单元120存取第一储存区域111及第二储存区域113以判断第一储存区域111及第二储存区域113是否损坏，并且对应地提供状态判断信号SDIA及输出数据DQ0。进一步来说，数据控制单元120接收控制信号CMD以设定为读取状态或写入状态，并且接收位址信号ADR以决定数据的写入位置或读取位置。当数据控制单元120设定为写入状态且接收位址信号ADR及输入数据DQI时，数据控制单元120会依据输入数据DQI产生第一写入数据WDl及第二写入数据WD2，并且数据控制单元120会依据位址信号ADR将第一写入数据WDl写入第一储存区域111，并且依据位址信号ADR将第二写入数据WD2写入第二储存区域113。当数据控制单元120设定为读取状态且接收位址信号ADR时，数据控制单元120依据位址信号ADR存取第一储存区域111以取得第一读取数据RDl，并且依据位址信号ADR存取第二储存区域113以取得第二读取数据RD2。接着，数据控制单元120依据第一读取数据RDl及第二读取数据RD2判断第一储存区域111及第二储存区域113是否损坏，并且对应地提供状态判断信号SDIA，以提示使用者存储器装置100的状态是否良好。并且，数据控制单元120会提供第一读取数据RDl作为输出数据DQ0，但在其他实施例中，数据控制单元120可以提供第二读取数据RD2作为输出数据DQ0。在本专利技术的一实施例中，第一写入数据WDl及第二写入数据WD2可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其特征在于，包括：一数据储存单元，具有一第一储存区域及一第二储存区域；以及一数据控制单元，耦接该数据储存单元，当该数据控制单元设定为一读取状态且接收一位址信号时，该数据控制单元依据该位址信号存取该第一储存区域以取得一第一读取数据，并且依据该位址信号存取该第二储存区域以取得一第二读取数据，该数据控制单元依据该第一读取数据及该第二读取数据判断该第一储存区域及该第二储存区域是否损坏，并且对应地提供一状态判断信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王锡源，詹凯霖，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71