存储器及其编程电路制造技术

一种存储器及其编程电路，所述存储器包括电熔丝存储单元，所述存储器的编程电路包括：可编程PMOS管组，包括N个可编程PMOS管，所述N个可编程PMOS管的源极相连并适于输入编程电压，所述N个可编程PMOS管的漏极耦接所述电熔丝存储单元的编程电压输入端，所述N个可编程PMOS管的栅极对应接收N位数字信号，每位数字信号对应控制一个可编程PMOS管导通或截止，N为整数且N≥2；数字信号产生单元，适于产生所述N位数字信号。本发明专利技术提供的存储器及其编程电路，能够在编程电压的实际值大于设计值时保证电熔丝存储单元被有效地写入数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器及其编程电路。
技术介绍
电熔丝(E-fuse)技术是根据多晶硅熔丝特性发展起来的一种技术。电熔丝的初始电阻值很小，当有大电流经过电熔丝时，电熔丝被熔断，其电阻值倍增。被熔断的电熔丝将永久地保持断开状态，而未被熔断的电熔丝则依然为导通状态。因此，由电熔丝构成的储存单元以判断电熔丝是否被熔断来得知其内部储存的数据。图1是现有的一种电熔丝存储单元的电路结构示意图。参考图1，所述电熔丝存储单元包括编程电压输入端N10、熔丝元件FlO和选通晶体管M10。所述编程电压输入端NlO连接所述熔丝元件FlO的一端并适于输入编程电压Vp ;所述熔丝元件FlO的另一端连接所述选通晶体管MlO的漏极；所述选通晶体管MlO的栅极适于输入选通信号SEL1，所述选通晶体管MlO的源极接地。对所述电熔丝存储单元进行操作时，所述选通信号SELl控制所述选通晶体管MlO导通。在对所述电熔丝存储单元编程前，所述熔丝元件FlO未被熔断，其电阻值很小。当对所述编程电压输入端NlO施加所述编程电压Vp、对所述选通晶体管MlO的栅极施加高电平的选通信号SELl时，所述选本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的编程电路，所述存储器包括电熔丝存储单元，其特征在于，所述存储器的编程电路包括：可编程PMOS管组，包括N个可编程PMOS管，所述N个可编程PMOS管的源极相连并适于输入编程电压，所述N个可编程PMOS管的漏极耦接所述电熔丝存储单元的编程电压输入端，所述N个可编程PMOS管的栅极对应接收N位数字信号，每位数字信号对应控制一个可编程PMOS管导通或截止，N为整数且N≥2；数字信号产生单元，适于产生所述N位数字信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先敏，杨家奇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31