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一种存储器及其编程电路，所述存储器包括电熔丝存储单元，所述存储器的编程电路包括：可编程PMOS管组，包括N个可编程PMOS管，所述N个可编程PMOS管的源极相连并适于输入编程电压，所述N个可编程PMOS管的漏极耦接所述电熔丝存储单元的编程电...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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