电阻式存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电阻式存储器及其制造方法，该存储器包括：一基底；一堆叠，此堆叠包括：下电极及电阻转态层；层间介电层，覆盖堆叠，其中层间介电层具有开口对准堆叠，此开口的侧壁与下电极及电阻转态层的侧壁对齐；上电极，设于电阻转态层上；以及接触插塞，设于开口中且电连接上电极。本发明专利技术亦提供此电阻式存储器的制造方法。本发明专利技术利用自对准方式定义接触开口，可避免以干蚀刻步骤形成接触开口时对元件造成的伤害，以提升工艺良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于，且特别是有关于一种自对准的电阻 式存储器及其制造方法。
技术介绍
在各种非易失性存储器中，一般皆使用可快速写入与抹除的快闪存储器（flash RAM)。快闪存储器中每个存储区块仅可W被抹除一定次数。当一存储区块的抹除次数超过 一临界值时，该存储区块将无法被正确地写入，并且由该存储区块读取出数据时将可能发 生错误。且随着元件不断的缩小，快闪存储器也逐渐面临到过大的写入电压、过长的写入时 间与栅极过薄而导致存储时间缩短的困境。 为了克服前述缺点，各方不断努力于开发新的非挥发性存储器来取代快闪存储 器，其中电阻式存储器（resistiverandomaccessmemcxry，RRAM)为目前业界所研发出的 众多新颖存储器之一，其是利用可变电阻的原理来制作非挥发性存储器，具有写入抹除时 间短、操作电压及电流低、存储时间长、多状态存储、结构简单、简化的写入与读出方式及所 需面积小等优点，是一种极有潜力的产品，受到各界的重视。因此，如何更进一步缩小电阻 式存储器中元件的面积、优化其工艺并减少其工艺成本，更是目前业界亟须发展的目标。【专利技术内容】 本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式存储器，其特征在于，该存储器包括：一基底；一堆叠，包括：一下电极，设于该基底上；及一电阻转态层，设于该下电极上；一层间介电层，覆盖该堆叠，其中该层间介电层具有一开口对准该堆叠，该开口的侧壁与该下电极及该电阻转态层的侧壁对齐；一上电极，设于该电阻转态层上；以及一接触插塞，设于该开口中且电连接该上电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦德，李书铭，陈宏生，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71