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本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法，该存储器包括：一基底；一堆叠，此堆叠包括：下电极及电阻转态层；层间介电层，覆盖堆叠，其中层间介电层具有开口对准堆叠，此开口的侧壁与下电极及电阻转态层的侧壁对齐；上电极，设于电阻转态层上；以及接触插塞，...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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