磁存储器制造技术

本发明专利技术涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。

Magnetic storage

The present invention relates to a magnetic memory includes a conductive layer, with first terminals and 2 terminals; a plurality of magnetoresistive elements, each interval is arranged between the first terminal and the second terminal of the conductive layer, the magnetoresistive element having a reference layer and configured in the reference layer and the conductive layer the storage layer and configuration in the storage layer and the nonmagnetic layer between the reference layer; and the circuit, a first potential of the plurality of magnetoresistive elements of the reference layer, and the first write current between the first terminal and the second terminal through a second potential and with the first write a reverse current second write current between the first terminal and the second terminal through to the plurality of magnetoresistive element in writing data of the magnetoresistive element reference layer.

【技术实现步骤摘要】
磁存储器相关申请的交叉引用本申请基于在先日本专利申请第2015－243603号(日本申请日：2015年12月14日)和第2016－153933号(日本申请日：2016年8月4日)并享有上述申请的优先权，通过引用将上述申请的全部内容并入本文中。
本专利技术的实施方式涉及磁存储器。
技术介绍
作为既有的存储器，被分类为易失性的(SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机存取存储器)、DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器))工作存储器和非易失性的(NAND闪存存储器、HDD(HardDiskDrive，硬盘驱动器))存储设备。但是，在这些易失性存储器中，在SRAM中泄漏电流大，在DRAM中由于刷新电流而能耗大。为了解决该问题，将各种非易失性存储器作为与SRAM、DRAM相关的工作存储器进行研究。但是，关于工作存储器，动作(Active)时的频度比待机(Standby)时的频度高。因此，在动作时，需要大的写入电荷(Qw)，写入能量增大。其结果，在待机时通过其非易失性而保存的能量在动作时用尽，难以整体地降低能耗。这被称为非易本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。

【技术特征摘要】
2015.12.14 JP 2015-243603;2016.08.04 JP 2016-153931.一种磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。2.一种磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件中的第1群的磁阻元件的所述参照层施加第1电位并且对所述多个磁阻元件中的与所述第1群不同的第2群的磁阻元件的所述参照层施加与所述第1电位不同的第2电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述第1群的磁阻元件的所述参照层施加所述第2电位并且对所述第2群的磁阻元件的所述参照层施加所述第1电位，并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。3.根据权利要求1或者2所述的磁存储器，其特征在于，还具备：多个第1晶体管，与所述多个磁阻元件对应地设置，各晶体管具有第3端子及第4端子和第1控制端子，所述第3端子与对应的磁阻元件的所述参照层电连接；以及第2晶体管，具有第5端子及第6端子和第2控制端子，所述第5端子与所述第1端子电连接。4.根据权利要求3所述的磁存储器，其特征在于，所述多个第1晶体管的所述第1控制端子与相互不同的多根第1布线连接，所述第4端子与一根第2布线连接。5.根据权利要求3所述的磁存储器，其特征在于，还具备第3晶体管，该第3晶体管具有第7端子及第8端子和第3控制端子，所述第7端子与所述第2端子电连接。6.根据权利要求5所述的磁存储器，其特征在于，所述多个第1晶体管的所述第1控制端子与相互不同的多根第1布线连接，所述第4端子与一根第2布线连接，所述第2控制端子和所述第3控制端子与一根第3布线连接。7.根据权利要求1或者2所述的磁存储器，其特征在于，还具备：多个二极管，与所述多个磁阻元件对应地设置，各二极管的阴极以及阳极的一方与对应的磁阻元件的所述参照层电连接；以及第1晶体管，具有第3端子及第4端子和第1控制端子，所述第3端子与所述第1端子电连接。8.根据权利要求7所述的磁存储器，其特征在于，还具备第2晶体管，该第2晶体管具有第5端子及第6端子和第2控制端子，所述第5端子与所述第2端子电连接。9.根据权利要求8所述的磁存储器，其特征在于，所述第1控制端子和所述第2控制端子与一根第1布线连接。10.根据权利要求1或者2所述的磁存储器，其特征在于，所述磁阻元件的所述非磁性层是绝缘层。11.一种磁存储器，具备：第1导电层，具有第1端子及第2端子；第1磁阻元件及第2磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述第1导电层，所述第1磁阻元件及第2磁阻元件分别具有参照层、配置于所述参照层与所述第1导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述第1磁阻元件及第2磁阻元件的所述参照层施加第1电位并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述第1磁阻元件及第2磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。12.根据权利要求11所述的磁存储器，其特征在于，还具备：第3端子，配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，所述第1磁阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：与田博明，下村尚治，大泽裕一，大坊忠臣，井口智明，白鸟聪志，山百合，上口裕三，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP