用于基于动态的字线的三维存储器装置的配置的方法和系统制造方法及图纸

存储器控制器以第一配置来配置与3D存储器装置的各个块相关联的多个字线，其中所述第一配置包括至少部分基于每个字线相对于所述3D存储器装置的衬底的垂直位置而确定的用于所述多个字线的每个字线的一组配置参数，并且当所述多个字线配置在所述第一配置中时，将数据写入所述各个块并且从所述各个块读取数据。对于所述各个块，存储器控制器：响应于针对所述各个字线检测到第一触发条件，调整对应于所述多个字线的各个字线的各个组的配置参数中的第一参数，并且，在检测所述第一参数之后，将数据写入到所述各个字线并且从所述各个字线读取数据。

Method and system for configuring a three-dimensional memory device based on a dynamic word line

Each block is associated with a plurality of word lines to configure the memory controller and 3D memory device in a first configuration, a set of configuration parameters wherein the first configuration includes at least a portion of each word line of each word line relative to the vertical position of the substrate of the 3D memory device based on the determined for the plurality of word line. And, when the plurality of word lines arranged in the first configuration, the data is written to the each block and reads data from the block. For each block, the memory controller in response to each word line for the detection of the first trigger condition, and the first parameter, each group of each word line to adjust the configuration parameter corresponding to the plurality of word lines in, after detecting the first parameter, the data is written to the each word line and read data from each of the word lines.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
公开的实施例一般地涉及存储器系统，并且具体地涉及改善用其保留数据的储存装置(例如，三维(3D)存储器装置)的可靠性。
技术介绍
非易失性数据储存装置已经实现了数据和软件应用的增加的便携性。例如，与单级单元(SLC)闪速存储器装置相比，闪速存储器装置的多级单元(MLC)存储元件的每个可以存储多位数据，增强数据存储密度。因此，闪速存储器装置使得用户能够存储和访问大量的数据。随着每个单元存储的位的数量增加，储存的数据中的位的误差通常增加。数据储存装置可以使用误差校正码(ECC)技术来编码和译码数据，以校正数据中的某些位的误差。ECC技术可以利用减少用于诸如用户数据的其他信息的数据储存容量的奇偶校验信息。为了进一步增加数据储存容量，存储器装置技术的进步已经产生具有三维(3D)配置的存储器装置。例如，3D存储器装置包括垂直地堆叠的并且位于多个垂直堆叠层的不同的层(例如，不同的级)中的多个存储器单元。垂直堆叠的一组存储器单元可以与导电沟道耦接。在3D储存装置的制造期间，可以通过多个垂直堆叠层产生孔，以使得能够形成导电沟道。然而，随着孔延伸的层的数量增加，控制孔的形成变得困难。例如，孔的形状可以不是穿过所有多个层的圆柱形；相反，孔可以具有穿过多个层中的一个或多个的锥形形状。为了说明，穿过多个层的孔的横截面可以具有圆锥形的形状或漏斗形的形状。当孔不具有穿过所有多个层的一致的形状(例如，一致的直径)时，可能影响一个或多个存储器单元的物理尺寸，这可能导致那些存储器单元的性能降低。
技术实现思路
在一些实施例中，存储器控制器被配置为用储存装置或在储存装置(例如，3D存储器装置)上进行操作。在一些实施例中，存储器控制器在检测触发条件之后动态地调整与储存装置的各个字线相关联的一个或多个配置参数(例如，ECC编码强度、编程参数、和/或储存密度)。触发条件可选地基于各个字线的一个或多个状态度量(例如，在各个字线上进行的编程-擦除(PE)周期的计数、写入到各个字线的字节的数量和用于从各个字线的页读取的数据的误码率(BER)或其组合)。附图说明使得本公开可以被更加详细地理解，可以通过参考各种实现方式的特征而获得具体的说明，其中的一些在附图中示出。但是，附图仅示出本公开的更加显著的特征并且因此不应被认为是限度性的，因为该说明可能具有其它有效特征。图1是示出根据一些实施例的数据储存系统的实现方式的框图。图2A是示出根据一些实施例的管理模块的实现方式的框图。图2B是示出根据一些实施例的包括在图2A中的特性向量表的示意图。图2C是示出根据一些实施例的包括在图2B中的代表性特征向量的示意图。图3A是根据一些实施例的在单级闪速存储器储器单元(SLC)中发现的随时间的电压分布的预测图。图3B是根据一些实施例的在多级闪速存储器单元(MLC)中发现的随时间的电压分布的预测图。图4A是根据一些实施例的三维(3D)存储器装置的列的示意图。图4B是根据一些实施例的图4A中的列的一部分的示意图。图5是根据一些实施例的3D存储器装置的块的示意图。图6是根据一些实施例的3D存储器装置的示意图。图7是根据一些实施例的NAND闪速配置中的3D存储器装置的示意图。图8是根据一些实施例的ReRAM配置中的3D储存装置的示意图。图9是根据一些实施例的用于包括3D存储器装置的各个块的字线的第一配置的预测图。图10是根据一些实施例的3D存储器装置的各个字线的预测状态的流程图。图11A-11C示出了根据一些实施例的具有存储器单元的3D阵列的储存装置中的操作方法的流程图表示。根据惯例附图中示出的各种特征可能未按比例绘制。相应地，为了清晰，各种特性的大小可以任意地扩大或减小。此外，一些附图可能没有绘制给定系统、方法或装置的所有组件。最后，贯穿说明书和附图，相似的参考标号可以被用于表示相似的特性。具体实施方式这里所描述的各种实现方式包括可以改善可靠性的系统、装置和/或方法，其中通过该可靠性数据可由储存装置(例如，3D存储器装置)保留。一些实施方式包括用于3D存储器装置逐个字线地动态调整配置参数的系统、装置和/或方法。在一些实施例中，由存储器控制器(例如，储存装置中嵌入的或者独立于储存装置的)进行储存装置中的操作的方法，该储存装置包括存储器单元的三维阵列，其包括存储器单元的多个块，每个块包括布置在相对于所述储存装置的衬底的不同垂直位置中的多个字线。对于所述多个块的各个块，该方法包括：以第一配置来配置对应于所述各个块的所述多个字线，其中所述第一配置包括至少部分基于每个字线相对于所述储存装置的衬底的垂直位置而确定的用于所述多个字线的每个字线的各个组的配置参数；并且，在所述多个字线根据所述第一配置来配置的情况下，将数据写入到所述各个块并且从所述各个块读取数据。对于所述各个块，该方法包括：响应于针对所述多个字线的各个字线检测到第一触发条件，调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第一参数；并且，在调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第一参数之后，将数据写入到所述各个字线并且从所述各个字线读取数据。一些实施例包括电子系统或装置(例如，图1的数据储存系统100或图1的存储器控制器120)，包含：一个或多个处理器；以及存储器，储存将由一个或多个处理器执行的一个或多个程序，一个或多个程序包含用于进行或者控制这里所述的任何方法的进行的指令。一些实施例包括非瞬时性计算机可读储存介质，储存用于由电子系统或装置(例如，图1的数据储存系统100或图1的存储器控制器120)的一个或多个处理器执行的一个或多个程序，一个或多个程序包含用于进行或者控制这里所述的任何方法的进行的指令。一些实施例包括电子系统或装置(例如，图1的数据储存系统100或图1的存储器控制器120)，其包含用于进行或者控制这里所述的任何方法的进行的指令的构件。在这里描述许多细节以便于提供对在附图中示出的示例实施例的透彻理解。但是，可以不需要许多特定细节而实施一些实施例，并且权利要求的范围仅由在权利要求中特别记述的那些特性和方面限度。此外，没有以详尽的细节描述已知的方法、组件和电路，以便不必要地混淆这里所述的实施例的更加相关的方面。图1是根据一些实施例的数据储存系统100的实现方式的图。尽管示出了一些示例特征，但是为了简洁并且不至于混淆这里所公开的示例实施例的更加显著的方面而没有示出各种其它特征。为此，作为非限制性示例，数据储存系统100与计算机系统110一起使用，其中数据储存系统100包括存储器控制器120和储存装置130。在一些实施例中，储存装置130包括单个存储器装置(例如，易失性存储器装置或非易失性存储器(NVM)装置——诸如磁盘储存装置、光盘储存装置、闪速存储器装置、三维(3D)存储器装置(如这里进一步所述的)或另一个半导体NVM存储器装置)。在一些实施例中，储存装置130包括多个存储器装置或者是与存储器控制器120耦接的多个存储器装置的一个。在一些实施例中，存储器装置包括一个或多个裸芯，每个裸芯具有两个或多个独立可寻址的块(例如，擦除块)。在一些实施例中，储存装置130包括NAND型闪速存储器或NOR型闪速存储器。此外，在一些实施例中，存储器控制器120是固态驱动(SSD)控制器。根据多种实施例的方面，可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在储存装置中操作的方法，该储存装置包括存储器单元的三维阵列，其包括存储器单元的多个块，每个块包括布置在相对于所述储存装置的衬底的不同垂直位置中的多个字线，所述方法包含：对于所述多个块的各个块，进行包括如下的操作：以第一配置来配置对应于所述各个块的所述多个字线，其中所述第一配置包括至少部分基于每个字线相对于所述储存装置的衬底的垂直位置而确定的用于所述多个字线的每个字线的各个组的配置参数；在所述多个字线根据所述第一配置来配置的情况下，将数据写入到所述各个块并且从所述各个块读取数据；响应于针对所述多个字线的各个字线检测到第一触发条件，调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第一参数；以及在调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第一参数之后，将数据写入到所述各个字线并且从所述各个字线读取数据。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.30 US 62/005,930;2014.06.06 US 14/298,8411.一种在储存装置中操作的方法，该储存装置包括存储器单元的三维阵列，其包括存储器单元的多个块，每个块包括布置在相对于所述储存装置的衬底的不同垂直位置中的多个字线，所述方法包含：对于所述多个块的各个块，进行包括如下的操作：以第一配置来配置对应于所述各个块的所述多个字线，其中所述第一配置包括至少部分基于每个字线相对于所述储存装置的衬底的垂直位置而确定的用于所述多个字线的每个字线的各个组的配置参数；在所述多个字线根据所述第一配置来配置的情况下，将数据写入到所述各个块并且从所述各个块读取数据；响应于针对所述多个字线的各个字线检测到第一触发条件，调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第一参数；以及在调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第一参数之后，将数据写入到所述各个字线并且从所述各个字线读取数据。2.如权利要求1所述的方法，还包含：对于所述各个块：在调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第一参数之后，针对所述多个字线的各个字线检测第二触发条件，其中所述第二触发条件不同于所述第一触发条件；并且响应于针对所述多个字线的各个字线检测到所述第二触发条件，调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第二参数，其中所述第二参数不同于所述第一参数。3.如权利要求2所述的方法，还包含：在调整对应于所述各个字线的各个组的配置参数中的第二参数之后，针对所述多个字线的各个字线检测预定的退役条件；以及响应于针对所述多个字线的各个字线检测到预定的退役条件，退役所述各个字线，其中后续数据不被写入到所述各个字线中。4.如权利要求1-3的任一项所述的方法，其中所述各个组的配置参数包括储存密度、ECC编码强度和一个或多个编程参数中的至少一个。5.如权利要求1-3的任一项所述的方法，还包含：维持用于对应于所述各个块的所述多个字线的每一个的一个或多个状态度量。6.如权利要求5所述的方法，还包含：根据用于所述多个字线的各个字线的一个或多个状态度量的一个满足一个或多个预定的基准的确定，针对所述各个字线检测第一触发条件。7.如权利要求1-5的任一项所述的方法，还包含：接收针对所述各个块的各个字线的命令；以及响应于接收到所述命令，针对所述各个字线检测第一触发条件。8.如权利要求1-7的任一项所述的方法，其中：当在所述第一配置中时：对应于所述各个块的所述多个字线的第一子集、在所述垂直位置的第一子集处、被配置为以第一储存密度储存数据，所述第一储存密度对应于每存储器单元B位的储存，其中位的预定的数量大于零；以及对应于所述各个块的所述多个字线的第二子集、在所述垂直位置的第二子集处、被配置为在第二储存处储存数据，第二储存密度对应于每存储器单元M位的储存，其中M大于零并且M小于B。9.如权利要求8所述的方法，其中对应于与所述各个块对应的所述多个字线的第二子集的垂直位置的第二子集比对应于与所述各个块对应的所述多个字线的第一子集的垂直位置的第一子集更加靠近所述储存装置的衬底。10.如权利要求1-9的任一项所述的方法，其中：当在所述第一配置中时：对应于所述各个块的所述多个字线的第一子集、在所述垂直位置的第一子集处、被配置为储存以第一ECC编码强度编码的数据；以及对应于所述各个块的所述多个字线的第二子集、在所述垂直位置的第二子集处、被配置为储存以大于所述第一ECC编码强度的第二ECC编码强度编码的数据。11.如权利要求1-10的任一项所述的方法，其中：当在所述第一配置中时：对应于所述各个块的所述多个字线的第一子集、在所述垂直位置的第一子集处、被配置为根据第一组的一个或多个编程参数来储存数据；以及对应于所述各个块的所述多个字线的第二子集、在所述垂直位置的第二子集处、被配置为根据第二组的一个或多个编程参数来储存数据。12.如权利要求11所述的方法，其中所述第二组的一个或多个编程参数比所述第一组的一个或多个编程参数将对应于所述各个块的所述多个字线的第二子集中的存储器单元暴露于更大量的压力。13.如权利要求1-12的任一项所述的方法，其中所述多个字线包括在相对于所述储存装置的衬底的X个区别的垂直位置的每个垂直位置处的一组字线，其中X是大于2的整数。14.如权利要求1-13的任一项所述的方法，其中所述储存装置包括每一个具有存储器单元的3D阵列的一个或多个三维(3D)存储器装置以及与一个或多个3D存储器装置中的存储器元件的操作相关联的电路。15.如权利要求14所述的方法，其中在所述一个或多个3D存储器装置的各个3D存储器装置中的所述电路和一个或多个存储器元件在相同的衬底上。16.一种储存系统，包含：储存装置，包括存储器单元的三维阵列，其包括存储器单元的多个块，每个块包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：JM希金斯，RW埃利斯，NR达拉赫，AK奥布里奇，N坎卡尼，S斯普劳斯，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US