【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地讲，涉及具有横向地间隔开的分开的接触区域的三维存储器器件及其形成方法。
技术介绍
1、一种包括每个单元具有一个位的三维竖直nand串的三维存储器器件在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novel ultra high density memory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell)”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种包括存储器裸片的半导体结构。该存储器裸片包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠上覆于衬底上并且横向地延伸穿过一系列区域，该一系列区域沿着第一水平方向按空间顺序包括第一接触区域、第一存储器阵列区域、第二接触区域、第二存储器阵列区域、第三接触区域和第三存储器阵列区域；存储器开口阵列，该存储器开口阵列位于第一存储器阵列区域、第二存储器阵列区域和第三存储器阵列区域中；和存储器开口填充结构阵列，该存储器开口填充结构阵列位于存储器开口阵列内，其中存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括相应的存储器元件竖直堆叠。
2、根据本公开的另一方面，提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠，其中间隔物材料层形成为导电层或者随后被导电层替换，其中该交替堆
3、根据本公开的一个实施方案，提供了一种包括存储器裸片的半导体结构。该存储器裸片包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠上覆于衬底上并且横向地延伸穿过一系列区域，该一系列区域沿着第一水平方向按空间顺序包括第一存储器阵列区域、第一接触区域、中央存储器阵列区域、第二接触区域和第二存储器阵列区域；存储器开口阵列，该存储器开口阵列位于第一存储器阵列区域、中央存储器阵列区域和第二存储器阵列区域中，其中导电层从第一存储器阵列区域连续地延伸到第二存储器阵列区域；和存储器开口填充结构阵列，该存储器开口填充结构阵列位于存储器开口阵列内并且包括相应的存储器元件竖直堆叠。
4、根据本公开的另一方面，提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠，其中间隔物材料层形成为导电层或者随后被导电层替换，其中该交替堆叠横向地延伸穿过一系列区域，该一系列区域沿着第一水平方向按空间顺序包括第一存储器阵列区域、第一接触区域、中央存储器阵列区域、第二接触区域和第二存储器阵列区域，其中导电层从第一存储器阵列区域连续地延伸到第二存储器阵列区域；形成位于第一存储器阵列区域、中央存储器阵列区域和第二存储器阵列区域中的存储器开口阵列；以及在存储器开口阵列内形成存储器开口填充结构阵列。
5、根据本公开的另一方面，提供了一种包括存储器裸片的半导体结构。该存储器裸片包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，其中该交替堆叠包括下部层堆叠、第一上部层堆叠和第二上部层堆叠，该下部层堆叠包括位于水平平面下方的绝缘层的第一子集和导电层的第一子集，该第一上部层堆叠包括位于水平平面上方的绝缘层的第二子集和导电层的第二子集，该第二上部层堆叠包括位于水平平面上方并且与第二层堆叠横向地间隔开的绝缘层的第三子集和导电层的第三子集，其中下部层堆叠横向地延伸穿过一系列区域，该一系列区域沿着第一水平方向按空间顺序包括第一接触区域、第一存储器阵列区域、辅助接触区域、第二存储器阵列区域和第二接触区域，并且其中第一上部层堆叠横向地延伸穿过第一存储器阵列区域以及辅助接触区域的第一部分，并且第二上部层堆叠横向地延伸穿过辅助接触区域的第二部分和第二存储器阵列区域；存储器开口阵列，该存储器开口阵列位于第二存储器阵列区域和第一存储器阵列区域中；和存储器开口填充结构阵列，该存储器开口填充结构阵列位于存储器开口阵列内并且包括相应的存储器元件竖直堆叠。
6、根据本公开的另一方面，提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠，其中间隔物材料层形成为导电层或者随后被导电层替换，其中该交替堆叠横向地延伸穿过一系列区域，该一系列区域沿着第一水平方向按空间顺序包括第一接触区域、第一存储器阵列区域、辅助接触区域、第二存储器阵列区域和第二接触区域；形成位于第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域中的存储器开口阵列；以及在存储器开口阵列内形成存储器开口填充结构阵列，其中存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括相应的存储器元件竖直堆叠，其中该交替堆叠包括下部层堆叠、第一上部层堆叠和第二上部层堆叠，该下部层堆叠包括位于水平平面下方的绝缘层的第一子集和导电层的第一子集，该第一上部层堆叠包括位于水平平面上方的绝缘层的第二子集和导电层的第二子集，该第二上部层堆叠包括位于水平平面上方并且与第二层堆叠横向地间隔开的绝缘层的第三子集和导电层的第三子集，其中第一上部层堆叠横向地延伸穿过第一存储器阵列区域以及辅助接触区域的第一部分，并且第二上部层堆叠横向地延伸穿过辅助接触区域的第二部分和第二存储器阵列区域。
7、根据本公开的另一方面，提供了一种包括存储器裸片的半导体结构。该存储器裸片包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠上覆于衬底上并且横向地延伸穿过一系列区域，该一系列区域沿着第一水平方向按空间顺序包括第一接触区域、第一存储器阵列区域、辅助接触区域、第二存储器阵列区域和第二接触区域；存储器开口阵列，该存储器开口阵列位于第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域中；和存储器开口填充结构阵列，该存储器开口填充结构阵列位于存储器开口阵列内并且包括相应的存储器元件竖直堆叠，其中：绝缘层和导电层的交替堆叠包括下部层堆叠和上部层堆叠，该下部层堆叠包括位于水平平面下方的绝缘层的第一子集和导电层的第一子集，该上部层堆叠包本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种包括存储器裸片的半导体结构，其中所述存储器裸片包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，所述半导体结构还包括接合到所述存储器裸片的逻辑裸片，其中所述逻辑裸片包括字线驱动器，所述字线驱动器通过位于所述逻辑裸片中的逻辑侧金属互连结构并且通过位于所述存储器裸片中的存储器侧金属互连结构电连接到所述导电层的节点。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述字线驱动器区域在所述平面图中与所述第一接触区域和所述第一存储器阵列区域之间的边界或者与所述第二接触区域和所述第二存储器阵列区域之间的边界不具有区域重叠。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述字线驱动器区域在所述平面图中与所述第一接触区域和所述第一存储器阵列区域之间的边界以及与所述第二接触区域和所述第二存储器阵列区域之间的边界具有区域重叠。
7.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述半导体结构具有选自以下项
9.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中：
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
12.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中：
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中：
15.根据权利要求12所述的半导体结构，其中：
16.一种形成存储器裸片的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中：
19.根据权利要求17所述的方法，其中：
20.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
21.一种包括存储器裸片的半导体结构，其中所述存储器裸片包括：
22.根据权利要求21所述的半导体结构，其中：
23.根据权利要求22所述的半导体结构，其中：
24.根据权利要求23所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
25.根据权利要求21所述的半导体结构，所述半导体结构还包括接合到所述存储器裸片的逻辑裸片，其中所述逻辑裸片包括字线驱动器，所述字线驱动器电连接到所述下部层堆叠中的所述导电层的所述第一子集、所述第一上部层堆叠中的所述导电层的所述第二子集以及所述第二上部层堆叠中的所述导电层的所述第三子集内的相应导电层。
26.根据权利要求25所述的半导体结构，其中所述字线驱动器包括位于第一字线驱动器区域中的第一字线驱动器，并且所述第一字线驱动器区域在平面图中与所述第一接触区域、所述第一存储器阵列区域和所述辅助接触区域中的每一者具有区域重叠。
27.根据权利要求26所述的半导体结构，其中所述第一字线驱动器区域在所述平面图中与所述第二存储器阵列区域的外围部分具有区域重叠。
28.根据权利要求25所述的半导体结构，其中所述字线驱动器还包括第二字线驱动器，所述第二字线驱动器位于第二字线驱动器区域中并且电连接到所述下部层堆叠中的所述导电层的所述第一子集内的相应导电层，并且在所述平面图中与所述第二接触区域具有区域重叠。
29.根据权利要求28所述的半导体结构，其中所述一系列区域包括附加辅助接触区域和位于所述第二存储器阵列区域和所述第二接触区域之间的第三存储器阵列区域。
30.根据权利要求29所述的半导体结构，其中所述第二字线驱动器区域在所述平面图中与所述附加辅助接触区域、所述第三存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域的外围部分中的每一者具有区域重叠。
31.根据权利要求25所述的半导体结构，其中：
32.根据权利要求31所述的半导体结构，其中所述半导体结构具有选自以下项的构型：
33.根据权利要求21所述的半导体结构，其中：
34.根据权利要求33所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
35.根据权利要求34所述的半导体结构，其中：
36.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：
37.根据权利要求36所述的方法，所述方法还包括形成与所述导电层的所述第一子集中的相应导电层接触的第一接触通孔结构，其中所述第一接触通孔结构的第一子集形成在所述第一接触区域中，并且所述第一接触通孔结构的第二子集形成在所述第二接触区域中。
38.根据...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种包括存储器裸片的半导体结构，其中所述存储器裸片包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，所述半导体结构还包括接合到所述存储器裸片的逻辑裸片，其中所述逻辑裸片包括字线驱动器，所述字线驱动器通过位于所述逻辑裸片中的逻辑侧金属互连结构并且通过位于所述存储器裸片中的存储器侧金属互连结构电连接到所述导电层的节点。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述字线驱动器区域在所述平面图中与所述第一接触区域和所述第一存储器阵列区域之间的边界或者与所述第二接触区域和所述第二存储器阵列区域之间的边界不具有区域重叠。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述字线驱动器区域在所述平面图中与所述第一接触区域和所述第一存储器阵列区域之间的边界以及与所述第二接触区域和所述第二存储器阵列区域之间的边界具有区域重叠。
7.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述半导体结构具有选自以下项的构型：
9.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中：
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
12.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中：
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中：
15.根据权利要求12所述的半导体结构，其中：
16.一种形成存储器裸片的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中：
19.根据权利要求17所述的方法，其中：
20.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
21.一种包括存储器裸片的半导体结构，其中所述存储器裸片包括：
22.根据权利要求21所述的半导体结构，其中：
23.根据权利要求22所述的半导体结构，其中：
24.根据权利要求23所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
25.根据权利要求21所述的半导体结构，所述半导体结构还包括接合到所述存储器裸片的逻辑裸片，其中所述逻辑裸片包括字线驱动器，所述字线驱动器电连接到所述下部层堆叠中的所述导电层的所述第一子集、所述第一上部层堆叠中的所述导电层的所述第二子集以及所述第二上部层堆叠中的所述导电层的所述第三子集内的相应导电层。
26.根据权利要求25所述的半导体结构，其中所述字线驱动器包括位于第一字线驱动器区域中的第一字线驱动器，并且所述第一字线驱动器区域在平面图中与所述第一接触区域、所述第一存储器阵列区域和所述辅助接触区域中的每一者具有区域重叠。
27.根据权利要求26所述的半导体结构，其中所述第一字线驱动器区域在所述平面图中与所述第二存储器阵列区域的外围部分具有区域重叠。
28.根据权利要求25所述的半导体结构，其中所述字线驱动器还包括第二字线驱动器，所述第二字线驱动器位于第二字线驱动器区域中并且电连接到所述下部层堆叠中的所述导电层的所述第一子集内的相应导电层，并且在所述平面图中与所述第二接触区域具有区域重叠。
29.根据权利要求28所述的半导体结构，其中所述一系列区域包括附加辅助接触区域和位于所述第二存储器阵列区域和所述第二接触区域之间的第三存储器阵列区域。
30.根据权利要求29所述的半导体结构，其中所述第二字线驱动器区域在所述平面图中与所述附加辅助接触区域、所述第三存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域的外围部分中的每一者具有区域重叠。
31.根据权利要求25所述的半导体结构，其中：
32.根据权利要求31所述的半导体结构，其中所述半导体结构具有选自以下项的构型：
33.根据权利要求21所述的半导体结构，其中：
34.根据权利要求33所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
35.根据权利要求34所述的半导体结构，其中：
36.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：
37.根据权利要求36所述的方法，所述方法还包括形成与所述导电层的所述第一子集中的相应导电层接触的第一接触通孔结构，其中所述第一接触通孔结构的第一子集形成在所述第一接触区域中，并且所述第一接触通孔结构的第二子集形成在所述第二接触区域中。
38.根据权利要求37所述的方法，所述方法还包括在所述辅助接触区域中形成与所述导电层的所述第二子集和所述导电层的所述第三子集中的相应导电层接触的第二接触通孔结构。
39.根据权利要求36所述的方法，所述方法还包括：
40.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：小川裕之，J·凯，水谷祐树，音居尚和，东谷政昭，外山史晃，H·奇布文戈泽，崔志欣，R·高塔姆，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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