【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及包括铝合金字线的三维存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、每个单元具有一个位的三维竖直nand串在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novel ultra high densitymemory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell)”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠定位在衬底上方，其中该导电层包括铝和除铝之外的至少一种金属的金属间合金；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；和存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构定位在该存储器开口中的相应一个存储器开口中，并且包括相应竖直半导体沟道和存储器元件的相应竖直堆叠。
2、根据本公开的另一方面，提供了一种形成三维存储器器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成铝层和绝缘层的交替堆叠；形成穿过该交替堆叠的存储器开口；通过对于围绕该存储器开口的该绝缘层选择性地使该铝层横向凹陷来围绕该存储器开口形成横向凹陷部；通过在该横向凹陷部中沉积除铝之外的至少一种金属来在该横向凹陷部中形成环形金属部分；在该环形金属部分的侧壁上以及在该存储器开口中形成存储器开口填充结构，其中该存储器开口填充结
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1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
3.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中所述氧化铝衬垫中的每个氧化铝衬垫包括：
4.根据权利要求3所述的三维存储器器件，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括定位在所述导电层的层级处并接触所述氧化铝衬垫的相应管状部分的内侧壁的圆柱形氧化硅表面区段。
5.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述导电层中的每个导电层具有横向组成梯度，使得铝的原子浓度随着距所述存储器开口填充结构中的最近侧存储器开口填充结构的横向距离而增加。
6.根据权利要求5所述的三维存储器器件，所述三维存储器器件还包括绝缘间隔物，所述绝缘间隔物具有沿着第一水平方向横向延伸并且接触所述绝缘层和所述导电层中的每一者的侧壁的纵向侧壁，其中所述导电层内的铝的最大原子浓度定位在与所述绝缘间隔物的界面处或附近。
7.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述导电层中的每个导电层始终具有均匀的材料组成。
8.根据权利要求1
9.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中所述金属间合金包括NiAl、Ni3Al、Ni2Al3、NiAl3、RuAl、FeAl、Fe3Al、CoAl、TiAl、TiAl3、ScAl3、ScAl、ScAl2、Sc2Al、Nb3Al、Nb2Al、NbAl3、NdAl2、NdAl3、NdAl、CuAl2、CuAl或Cu3Al中的至少一者。
10.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
11.根据权利要求10所述的三维存储器器件，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构还包括存储器材料层，所述存储器材料层连续地竖直延伸穿过所述导电层中的每个导电层并具有横向突出到所述氧化硅部分中的部分。
12.根据权利要求10所述的三维存储器器件，其中：
13.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括：
14.根据权利要求13所述的三维存储器器件，其中：
15.一种形成三维存储器器件的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述至少一种金属选自Ni、Ru、Fe、Co、Ti、Sc、Nb、Nd或Cu，并且所述绝缘层包括氧化硅。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括对所述铝和所述至少一种其他金属进行退火，以诱导所述铝层中的铝与所述至少一种金属之间的所述相互扩散，并且通过使来自所述铝层的铝原子与所述氧化硅绝缘层中的氧原子反应来形成氧化铝衬垫。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述环形金属部分通过选择性金属沉积工艺形成，所述选择性金属沉积工艺使所述至少一种金属从物理暴露的金属表面生长，同时抑制所述至少一种金属从所述绝缘层的表面生长。
19.根据权利要求17所述的方法，其中终止所述选择性金属沉积工艺，使得所述环形金属部分的内侧壁从圆柱形竖直平面横向向外凹陷，所述圆柱形竖直平面包括所述绝缘层的物理地暴露于所述存储器开口的侧壁。
20.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
3.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中所述氧化铝衬垫中的每个氧化铝衬垫包括：
4.根据权利要求3所述的三维存储器器件，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括定位在所述导电层的层级处并接触所述氧化铝衬垫的相应管状部分的内侧壁的圆柱形氧化硅表面区段。
5.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述导电层中的每个导电层具有横向组成梯度，使得铝的原子浓度随着距所述存储器开口填充结构中的最近侧存储器开口填充结构的横向距离而增加。
6.根据权利要求5所述的三维存储器器件，所述三维存储器器件还包括绝缘间隔物，所述绝缘间隔物具有沿着第一水平方向横向延伸并且接触所述绝缘层和所述导电层中的每一者的侧壁的纵向侧壁，其中所述导电层内的铝的最大原子浓度定位在与所述绝缘间隔物的界面处或附近。
7.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述导电层中的每个导电层始终具有均匀的材料组成。
8.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述至少一种金属选自ni、ru、fe、co、ti、sc、nb、nd或cu。
9.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中所述金属间合金包括nial、ni3al、ni2al3、nial3、rual、feal、fe3al、coal、tial、tial3、scal3、scal、scal2、sc2al、nb3al、nb2al、nbal3、ndal2、ndal3、ndal、cual2、cual或cu3al中的至少一者。
【专利技术属性】
技术研发人员：陈凌寒，R·S·马卡拉，天野文贵，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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