【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及包括具有共同宽度和间隔的读出放大器的三维存储器器件及其形成方法。
技术介绍
1、读出放大器是存储器芯片中的列电路的关键部分。每条位线连接到相应的读出放大器，并且反之亦然。
技术实现思路
1、根据本公开的方面，一种半导体结构包括：存储器阵列，该存储器阵列具有第一位线和第二位线；和读出放大器电路。该读出放大器电路包括：第一读出放大器阵列，该第一读出放大器阵列包含第一有源读出放大器晶体管，这些第一有源读出放大器晶体管各自包括具有第一宽度的有源区，其中这些第一有源读出放大器晶体管电连接到这些第一位线；和第二读出放大器阵列，该第二读出放大器阵列包括：第二有源读出放大器晶体管，这些第二有源读出放大器晶体管各自包括具有该第一宽度的有源区，其中这些第二有源读出放大器晶体管电连接到这些第二位线；和虚设有源区，这些虚设有源区电无源地位于这些第二有源读出放大器晶体管的列之间。
【技术保护点】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：金属迹线，所述金属迹线位于所述第一读出放大器阵列和所述第二读出放大器阵列之上。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一有源读出放大器晶体管中的每个第一有源读出放大器晶体管和所述第二有源读出放大器晶体管中的每个第二有源读出放大器晶体管位于所述读出放大器电路的相应有源单元格中，并且所述虚设有源区中的每个虚设有源区位于所述读出放大器电路的相应虚设单元格中。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中每第一列位于所述第二读出放大器阵列之上的金属迹线比位于所述第一读出放大器阵列之上的金属迹线多。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中每第一列四条金属迹线位于所述第二读出放大器阵列之上，并且每第一列三条金属迹线位于所述第一读出放大器阵列之上。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述金属迹线在所述第一读出放大器阵列和所述第二读出放大器阵列中的所述有源单元格之上并且在
8.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第一位线和所述第二位线在位线方向上延伸，并且所述金属迹线在所述位线方向上延伸。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述有源区沿垂直于所述位线方向的字线方向具有所述第一宽度。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：交叉位线，所述交叉位线在所述字线方向上延伸并且将所述第二位线电连接到所述第二有源读出放大器晶体管。
11.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述虚设有源区沿所述字线方向具有小于所述第一宽度的第二宽度。
12.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述虚设有源区沿所述字线方向具有所述第一宽度。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：虚设金属迹线，所述虚设金属迹线在所述虚设单元格之上延伸。
14.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述第一读出放大器阵列和所述第二读出放大器阵列中的所有有源单元格沿所述字线方向具有相同的第三宽度。
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中在所述第一读出放大器阵列和所述第二读出放大器阵列中，相邻有源区之间沿所述字线方向的间距相同，并且等于有源区和相邻虚设有源区之间沿所述字线方向的间距。
16.根据权利要求9所述的半导体结构，其中覆盖在所述第一读出放大器阵列上面的金属迹线和覆盖在所述第二读出放大器阵列上面的金属迹线具有相同的节距。
17.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
18.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述存储器阵列包括：
19.根据权利要求18所述的半导体结构，其中所述存储器膜包括层堆叠，所述层堆叠包括阻挡介电层、电荷存储层和隧穿介电层。
20.根据权利要求18所述的半导体结构，其中：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：金属迹线，所述金属迹线位于所述第一读出放大器阵列和所述第二读出放大器阵列之上。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一有源读出放大器晶体管中的每个第一有源读出放大器晶体管和所述第二有源读出放大器晶体管中的每个第二有源读出放大器晶体管位于所述读出放大器电路的相应有源单元格中，并且所述虚设有源区中的每个虚设有源区位于所述读出放大器电路的相应虚设单元格中。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中每第一列位于所述第二读出放大器阵列之上的金属迹线比位于所述第一读出放大器阵列之上的金属迹线多。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中每第一列四条金属迹线位于所述第二读出放大器阵列之上，并且每第一列三条金属迹线位于所述第一读出放大器阵列之上。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述金属迹线在所述第一读出放大器阵列和所述第二读出放大器阵列中的所述有源单元格之上并且在所述第二读出放大器阵列中的所述虚设单元格之上延伸。
8.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第一位线和所述第二位线在位线方向上延伸，并且所述金属迹线在所述位线方向上延伸。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述有源区沿垂直于所述位线方向的字线方向具有所述第一宽度。
10.根据权利要求9所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：泷本拓真，广井政幸，小川裕之，奥村雅俊，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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