【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及一种包括分立电荷存储元件的三维存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、每个单元具有一个位的三维竖直nand串在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novel ultra high densitymemory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell)”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；以及延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构，其中这些存储器堆叠结构中的每一者包括垂直半导体沟道、垂直延伸穿过该交替堆叠的隧穿介电层、位于这些导电层的层级处的分立氮化硅存储器元件的垂直堆叠，以及横向围绕该分立氮化硅存储器元件的垂直堆叠的分立氧化硅阻挡介电结构的垂直堆叠，其中这些氧化硅阻挡介电结构中的每一者包括氮氧化硅表面区域，并且该氮氧化硅表面区域内的氮原子的原子浓度随着距该氮氧化硅表面区域与这些氮化硅存储器元件中的相应一者之间的界面的横向距离而减小。
2、根据本公开的另一方面，提供了一种形成三维存储器器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠；形成穿过该交替堆叠的存储器开口；在该存储器开口中形成牺牲存储器开口填充结构；通过相对于这些绝缘层和该
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1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述氮氧化硅表面区域接触所述氮化硅存储器元件中的所述相应一者。
3.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
4.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述氮化硅存储器元件中的每一者包括接触所述绝缘层中的相应第一绝缘层的顶部表面和接触所述绝缘层中的相应第二绝缘层的底部表面。
5.根据权利要求4所述的三维存储器器件，其中：
6.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述氧化硅阻挡介电结构中的氧化硅阻挡介电结构和所述氮化硅存储器元件中的氮化硅存储器元件的每个邻接对具有相同的高度。
7.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述隧穿介电层与所述存储器堆叠结构中的相应一者内的所述分立氮化硅存储器元件的垂直堆叠的内侧壁接触，并且与所述交替堆叠中的所述绝缘层中的每一者接触。
8.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述分立氧化硅阻挡介电结构的垂直堆叠不接触所述存储器堆叠结构中的每一者内的所述隧穿介电层，并
9.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述存储器堆叠结构中的每一者内的所述隧穿介电层的外部管状侧壁接触所述绝缘层中的每一者，并且从所述交替堆叠内的最顶层笔直地垂直延伸到所述交替堆叠内的最底层。
10.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
11.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述存储器堆叠结构中的每一者内的所述隧穿介电层的外部侧壁接触所述绝缘层中的每一者，并且以横向起伏从所述交替堆叠内的最顶层垂直延伸到所述交替堆叠内的最底层，使得所述隧穿介电层与所述分立氮化硅存储器元件的垂直堆叠之间的界面从所述隧穿介电层与所述绝缘层之间的界面径向偏移。
12.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
13.一种形成三维存储器器件的方法，所述方法包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中：
15.根据权利要求13所述的方法，其中：
16.根据权利要求13所述的方法，其中：
17.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：
18.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括通过氧化所述分立氮化硅存储器元件的垂直堆叠的管状表面部分来形成分立氧化硅阻挡介电结构的垂直堆叠，其中所述氧化硅阻挡介电结构中的每一者包括氮氧化硅表面区域，并且所述氮氧化硅表面区域内的氮原子的原子浓度随着距所述氮氧化硅表面区域与所述氮化硅存储器元件中的相应一者之间的界面的横向距离而减小。
19.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括直接在所述分立氧化硅阻挡介电结构的垂直堆叠的外侧壁上以及在暴露于所述背侧凹陷部的所述绝缘层的表面上形成背侧阻挡介电层，其中所述导电层直接形成在所述背侧阻挡介电层的相应部分上。
20.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述氮氧化硅表面区域接触所述氮化硅存储器元件中的所述相应一者。
3.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
4.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述氮化硅存储器元件中的每一者包括接触所述绝缘层中的相应第一绝缘层的顶部表面和接触所述绝缘层中的相应第二绝缘层的底部表面。
5.根据权利要求4所述的三维存储器器件，其中：
6.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述氧化硅阻挡介电结构中的氧化硅阻挡介电结构和所述氮化硅存储器元件中的氮化硅存储器元件的每个邻接对具有相同的高度。
7.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述隧穿介电层与所述存储器堆叠结构中的相应一者内的所述分立氮化硅存储器元件的垂直堆叠的内侧壁接触，并且与所述交替堆叠中的所述绝缘层中的每一者接触。
8.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述分立氧化硅阻挡介电结构的垂直堆叠不接触所述存储器堆叠结构中的每一者内的所述隧穿介电层，并且通过所述分立氮化硅存储器元件的垂直堆叠与所述存储器堆叠结构中的每一者内的所述隧穿介电层横向间隔开。
9.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述存储器堆叠结构中的每一者内的所述隧穿介电层的外部管状侧壁接触所述绝缘层中的每一者，并且从所述交替堆叠内的最顶层笔直地垂直延伸到所述交替堆叠内的最底层。
10.根据权利要求1所述的三...
【专利技术属性】
技术研发人员：津美正三里，迎祐辅，樋上达也，葛西祐树，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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