本公开提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括绝缘层和导电层的交替堆叠。该导电层包括铝和除铝之外的至少一种金属的金属间合金。存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠。存储器开口填充结构定位在该存储器开口中的相应一个存储器开口中，并且包括相...

一种半导体结构包括：存储器阵列，该存储器阵列包括第一位线和第二位线；和读出放大器电路。该读出放大器电路包括：第一读出放大器阵列，该第一读出放大器阵列包含第一有源读出放大器晶体管，这些第一有源读出放大器晶体管各自包括具有第一宽度的有源区，...

一种半导体结构包括半导体衬底，该半导体衬底包含侧向围绕晶体管有源区的浅沟槽隔离结构、竖直延伸到该半导体衬底中的至少一个线沟槽、以及位于该晶体管有源区中的源极区和漏极区。轮廓化沟道区在该至少一个线沟槽下面从该源极区连续延伸到该漏极区。栅极...

一种集成存储器组件包括接合到存储器管芯的控制管芯。存储器管芯包括多个非易失性存储器结构(例如，平面、阵列、块组等)，每个非易失性存储器结构包括在非易失性存储器结构的一个或多个边缘处形成阶梯的交替的导电层和介电层的堆叠。非易失性存储器结构...

在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠。该间隔物材料层形成为导电层，或者随后被该导电层替换。穿过该交替堆叠形成存储器开口和支撑开口。该存储器开口以具有平行于第一水平方向的最近相邻方向的第一六边形阵列进行布置，并且该支撑开口以具有垂...

一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：第一绝缘层和第一导电层的第一交替堆叠，该第一交替堆叠定位在半导体材料层上方；层间介电层；以及第二绝缘层和第二导电层的第二交替堆叠，该第二交替堆叠定位在该层间介电层上方。存储器开口竖直延伸穿过该第...

一种存储器裸片，该存储器裸片包括绝缘层和导电层的交替堆叠，存储器开口填充结构竖直地延伸穿过该交替堆叠。存储器裸片包括与至少两个接触区域交错的至少三个存储器阵列区域，或者在同一存储器平面中与至少两个存储器阵列区域交错的至少三个接触区域。包...

一种半导体结构包括至少两个场效应晶体管。可在多个半导体有源区上方形成包括多个栅极电介质和栅极电极条的栅极条。通过将掺杂剂注入到半导体有源区中而不将该掺杂剂注入到浅沟槽隔离结构的电极间区中来形成深源极/漏极区。在形成该深源极/漏极区之前或...

一种包含多级存储器元件的三维存储器器件包括：包含层堆叠的存储器膜，该层堆叠包括共振隧穿势垒堆叠、半导体势垒层和位于该共振隧穿势垒堆叠与该半导体势垒层之间的存储器材料层；半导体沟道；以及控制栅极电极。

一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，以及延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构。这些存储器堆叠结构中的每一者包括垂直半导体沟道、隧穿介电层、位于这些导电层的层级处的分立氮化硅存储器元件的垂直堆叠，以及横向围绕...

提出了用于检测存储器设备中的位线断路和短路的装置和技术，在该存储器设备中，存储器管芯被反转并接合到控制管芯。在一种方法中，该控制管芯包括连接到该存储器管芯的一组位线的一组位线，并且该控制管芯的该组位线包括接地晶体管，例如连接到接地节点的...

本发明涉及一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；延伸穿过该交替堆叠并包括具有管状区段和半管状区段的相应第一竖直半导体沟道的第一存储器开口填充结构；第二存储器开口填充结构；电连接到第一漏极区的相应子集的第一位...

一种半导体结构包括：半导体器件，该半导体器件定位在衬底半导体层的顶部表面上；较低层级金属互连结构，该较低层级金属互连结构嵌入在较低层级介电材料层中；源极层级材料层；绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠覆盖在源极层级材料层上面；存储器堆叠...

本发明涉及一种三维存储器器件，其包括：位于衬底上方的绝缘层与导电层的交替堆叠、竖直延伸穿过该交替堆叠的存储器开口的多个周期性二维阵列、存储器开口填充结构的多个周期性二维阵列和位线。该位线沿第二水平方向横向延伸。存储器开口的每个周期性二维...

一种接合组件包括第一半导体裸片，该第一半导体裸片包括第一衬底

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本发明公开了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括形成在上覆于半导体衬底和栅极电极上的介电封盖掩模层中的开口内和

一种存储器裸片，包括：由源极选择层级介电隔离结构横向间隔开的源极选择层级导电条；字线层级导电层和绝缘层的交替堆叠；以及位于该源极选择层级导电条的相对侧的源极条

一种三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠