具有高效信号路由的非易失性存储器制造技术

技术编号：40582946 阅读：10 留言：0更新日期：2024-03-06 17:26

一种集成存储器组件包括接合到存储器管芯的控制管芯。存储器管芯包括多个非易失性存储器结构(例如，平面、阵列、块组等)，每个非易失性存储器结构包括在非易失性存储器结构的一个或多个边缘处形成阶梯的交替的导电层和介电层的堆叠。非易失性存储器结构被定位成在非易失性存储器结构之间具有间隙，使得间隙将相邻非易失性存储器结构的阶梯分开。定位在间隙中的金属层间区段经由零个、一个或多个其他金属层/区段连接到定位在非易失性存储器结构上方的顶部金属层且连接到控制管芯上的一个或多个电路。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、本公开涉及非易失性存储装置。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的一个示例为闪存存储器(例如，nand型闪存存储器和nor型闪存存储器)。

3、存在减小半导体管芯的尺寸的趋势，因为消费者希望电子器件的尺寸小。还存在增加半导体管芯的功能性的趋势，因为消费者想要在他们的电子器件中有更多特征。添加更多功能性通常导致需要在半导体管芯内路由更多信号线(例如，功率、命令和/或数据)。随着更多的信号线在半导体管芯(例如，半导体存储器)内路由并且半导体管芯被制造得更小，可能发生信号线的拥塞，使得不可能包括实现所有期望功能所需的所有信号线。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种集成存储器组件装置，所述集成存储器组件装置包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一半导体管芯还包括：

6.根据权利要求1所述的装置，其中：

7.根据权利要求6所述的装置，其中：

8.根据权利要求6所述的装置，其中：

9.根据权利要求1所述的装置，其中：

10.根据权利要求1所述的装置，其中：

11.根据权利要求1所述的装置，其中：

12.根据权利要求1所述的装置，其中：

13.根据权利要求1所述的装置，其中：

14.一种方法，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中：

16.根据权利要求14所述的方法，其中：

17.一种集成存储器组件装置，所述集成存储器组件装置包括：

18.根据权利要求17所述的装置，其中：

19.根据权利要求17所述的装置，其中：

20.根据权利要求17所述的装置，其中：

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】