本发明描述了用于减少存储器设备中的读取时间的装置和技术。控制NAND串的基板的源极区源极电压信号Vcelsrc和p阱本体电压信号Vp

本发明描述了用于在存储器单元块下方的基板中提供分离的源极区的装置和技术。该源极区可由相应的电压驱动器分别驱动，以提供诸如更均匀的编程和擦除速度以及更窄的阈值电压分布的益处。在一种方法中，提供单个源极区并且通过蚀刻沟槽以及用绝缘材料填充该...

本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括位于衬底上方的字线和至少一个绝缘层或气隙的交替堆叠、延伸穿过该交替堆叠的存储器开口填充结构。该存储器开口填充结构包括存储器膜和接触该存储器膜的内侧壁的竖直半导体沟道。该字线比该绝缘层或...

第一层结构包括第一连续绝缘层和第一连续牺牲材料层的第一竖直交替序列以及在该第一竖直交替序列的第一阶梯式表面上面的第一层后向阶梯式介电材料部分。第二连续绝缘层和第二连续牺牲材料层的第二竖直交替序列形成在该第一层结构上方。绝缘板和介电材料的...

描述了用于周期性地刷新存储器设备中的组块的字线电压的装置和技术。在一个方面，每个组块存储每单元相同位数。例如，一个组块可以被保留用于单电平单元(SLC)数据，并且另一个组块可以被保留用于多电平单元(MLC)数据。可以将公共刷新电压信号施...

本发明提供了绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠，该绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠可以在衬底上方形成。间隔物材料层可以形成为导电层，或者可以随后被导电层替换。存储器开口可以穿过交替堆叠形成，并且环形横向凹陷部形成在该绝缘层的层级处。金属部分形...

本发明提供了一种接合组件，该接合组件包括：包含存储器器件和多条位线的存储器管芯，以及接合到存储器管芯的逻辑管芯。该逻辑管芯包括被配置成控制存储器器件的操作的控制电路。该控制电路包含外围电路区域、读出放大器区域以及电力和控制信号区域，该电...

第一半导体管芯包括：第一半导体器件，该第一半导体器件位于第一衬底上方；第一互连层级介电层，该第一互连层级介电层嵌入第一金属互连结构并位于该第一半导体器件上方；第一焊盘层级介电层，该第一焊盘层级介电层嵌入第一接合焊盘并位于该第一互连层级介...

一种三维存储器器件包括位于线沟槽之间的绝缘层和导电层的交替堆叠、第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域，以及位于所述第一线沟槽和所述第二线沟槽之间以及所述存储器阵列区域之间的一对介电壁结构。所述交替堆叠内的每个层在连接区域中的所述第一存...

一种半导体结构包括：外围电路；第一三维存储器阵列，该第一三维存储器阵列覆盖在该外围电路上面，并且包括第一绝缘层与包含第一字线和第一选择线的第一导电层的第一交替堆叠，以及竖直延伸穿过该第一交替堆叠的第一存储器堆叠结构；和第二三维存储器阵列...

存储器裸片可以包括：位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替叠堆，以及竖直延伸穿过该交替叠堆的存储器堆叠结构。该交替叠堆内的第一层叠堆包括第一阶梯区域，其中第一导电层具有随着距该衬底的竖直距离而增加的相应横向范围，以提供第一阶梯式表面。该交替...

绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠在衬底上方形成。穿过该交替堆叠形成存储器开口和支撑开口，并且分别在存储器开口和支撑开口中形成存储器开口填充结构和支撑柱结构。穿过交替堆叠形成延伸到牺牲材料层中的每个牺牲材料层的通孔腔体，而不在交替堆叠中形成任...

本发明公开了一种接合组件，该接合组件包括：第一三维存储器裸片，该第一三维存储器裸片包含第一绝缘层与第一导电层的第一交替堆叠，以及位于该第一交替堆叠中的第一存储器结构；第二三维存储器裸片，该第二三维存储器裸片接合到该第一三维存储器裸片，并...

描述了用于通过减小沟道梯度和到存储器单元的电荷注入来减小存储器设备中的读取干扰的装置和技术。在读取选定NAND串中的存储器单元之前，未选定NAND串的沟道被升压。该升压涉及在漏极侧选择栅极晶体管接通然后关断并且选定字线WLn的非相邻字线...

本发明公开了一种磁阻存储器设备，该磁阻存储器设备包括磁性隧道结，该磁性隧道结包括自由层、至少两个隧穿电介质势垒层和至少一个金属量子阱层。量子阱层引起以一定方式经过磁性隧道结的共振电子隧穿，使得其强烈增强自由层的磁化状态之一的隧穿概率，而...

本发明公开了一种电容器或电阻器结构，其中的至少一者可通过将栅极介电层图案化成栅极电介质并且图案化成第一节点电介质或第一电阻器隔离电介质，并且通过将半导体层图案化成栅极电极并且图案化成电容器或电阻器条带的第二电极而与场效应晶体管的形成同时...

一种在衬底上沉积钨的方法，该方法包括将衬底安置于钨沉积设备的真空外壳中；执行第一钨沉积工艺，该第一钨沉积工艺通过使含氟钨前驱气体流入真空外壳中而在衬底的物理暴露表面上沉积第一钨层；通过当衬底保持在真空外壳内而不破坏真空时将第一钨层暴露于...

一种用于通过四页数据对非易失性存储器结构进行编程的方法，其中所述方法包括：在第一阶段中，选择MLC NAND型存储器单元的片段的四个可编程状态；在第一跨步电压电平下通过四页数据中的两页对所述四个可编程状态中的至少第一个进行编程；在对所述...

可在半导体衬底上方形成半导体器件，并且可在该半导体器件上形成嵌入金属互连结构的互连层级介电材料层。在一个实施方案中，可形成焊盘连接通孔层级介电材料层、近侧介电扩散阻挡层和焊盘层级介电材料层。可在该焊盘层级介电材料层中形成由介电扩散阻挡部...

本公开提供了一种形成三维存储器器件的方法，该方法包括：形成第一绝缘层和第一牺牲材料层的第一层交替堆叠；使用相同的蚀刻步骤穿过该第一交替堆叠形成第一层存储器开口、第一层支撑开口和第一层壕沟沟槽；在相同的沉积步骤期间在第一壕沟层沟槽中形成第...