非挥发性记忆装置及其数据处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及非挥发性记忆装置及其数据处理方法。非挥发性记忆装置包括控制器和与非门闪存。首先，由控制器将目标命令及对应的目标地址序列传送至与非门闪存。接着，与非门闪存根据目标地址计算出第一数值。其次，控制器将对应于目标地址的循环冗余校验码传送至与非门闪存。然后，与非门闪存根据第一数值及该循环冗余校验码进行循环冗余校验，用以判断是否发生传送错误。当传送错误发生时，设定状态缓存器，以通知控制器重新传送目标命令及对应的目标地址。

Non volatile memory device and data processing method thereof

The invention relates to a non-volatile memory device and a data processing method thereof. Non volatile memory device includes a controller and a NAND flash. First of all, the controller will be sent to the target address sequence of NAND flash and the corresponding target command. Then, according to the target address of NAND flash to calculate the first numerical. Secondly, the cyclic redundancy check code is transmitted to the NAND flash controller corresponding to the target address. Then, a NAND flash cyclic redundancy check according to the first value and the cyclic redundancy check code, used to determine whether the occurrence of transmission error. When a transmission error occurs, the status buffer is set to notify the controller to retransmit the target command and the corresponding destination address.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非挥发性内存(non-volatile memory)，更具体地说，涉及与非门闪存 (NAND flash memory)及其数据处理方法。
技术介绍
由于非挥发性内存，比如闪存，可被电性抹除并重新编程(r印rogram)，且具有尺 寸小、省电和低成本等优点，因此广泛地用于各种消费性电子装置中，例如移动电话、数字 相机、个人数字助理(Personal Digital Assistant, PDA)等，作为一般数据储存及传输之用。闪存可分成与非门闪存与或非门闪存(NOR flash memory)。相比于或非门闪存， 与非门闪存的成本较低、记忆容量较大、且具有较快的写入速度及抹除速度。这使得与非门 闪存普遍地作为便携式产品的储存媒介，用以储存各种多媒体数据。一般而言，当存取与非门闪存时，以序列传送的方式来传送欲存取的数据。随着数 据传输速率的不断提升，数据传输时更容易受噪声干扰等问题影响，进而大幅增加数据传 输错误的发生率。在此情况下，由于常用的与非门闪存并无法实时测知数据传输错误的发 生，故无法确知欲存取的地址或数据是否正确。进一步，错误的存取地址或存取数据，还可 能本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种数据处理方法，其特征在于，适用于非挥发性记忆装置，其中，所述非挥发性记忆装置包括控制器及与非门闪存，所述数据处理方法包括：由所述控制器将目标命令及对应的目标地址序列传送至所述与非门闪存；所述与非门闪存根据所述目标地址计算出第一数值；所述控制器将对应于所述目标地址的循环冗余校验码传送至所述与非门闪存；所述与非门闪存根据所述第一数值及所述循环冗余校验码进行循环冗余校验，用以判断是否发生传送错误；及当所述传送错误发生时，设定状态缓存器，以通知所述控制器重新传送所述目标命令及对应的所述目标地址。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：欧旭斌，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]