提升闪存的控制器的验证效率的方法、记忆装置及控制器制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种提升闪存的控制器的验证效率的方法，该方法包含有：提供一错误产生模块，用来产生错误；以及触发该错误产生模块主动地产生至少一特定类型的错误，以增加对应于该特定类型的错误发生率。本发明专利技术另提供相关的记忆装置及其控制器，其中该控制器包含：一只读存储器，用来储存一程序代码；一微处理器，用来执行该程序代码以控制对该闪存的存取以及管理多个区块，并且另针对该控制器的错误管理机制来提升验证效率；以及一错误产生模块，用来产生错误；该控制器触发该错误产生模块主动地产生错误。本发明专利技术还涉及一种相关的记忆装置及其控制器。本发明专利技术针对错误管理机制，可显著地提升验证效率，大幅地节省时间与人力，且可增加测试的完整性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪存(Flash Memory)的存取(Access)相关
，更具体地说，涉 及一种针对闪存的控制器的错误管理(Error Handling)机制来提升闪存的控制器的验证 效率的方法、相关的记忆装置及其控制器。
技术介绍
近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如符合SD/MMC、 CF、MS、)(D标准的记忆卡)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些可携式记忆装置中的闪 存的存取控制遂成为相当热门的议题。以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(Single LevelCell, SLC) 与多阶细胞(Multiple Level Cell,MLC)两大类闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆 单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中 的每个被当作记忆单元的晶体管的储存能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以通 过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组位元信息(00、01、11、10)；理论上，多阶细胞 闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到 瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可 提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。 然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保可携式记忆装置对闪 存的访问控制能符合相关规范，闪存的控制器必须有错误管理机制(例如软件错误管理机 制)以妥善地管理发生各种错误的状况。依据相关技术，若要验证上述的错误管理机制，往往必须进行烧机测试，例如利用 主装置(Host)不断地对可携式记忆装置进行存取。然而，许多类型的错误都是随机发生 的，且由于这些错误发生的机率不高，故测试时间通常很长，可达数百小时之久；非常浪费 时间与人力。因此，需要一种新颖的方法针对上述的错误管理机制来提升验证效率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种针对闪存的 控制器的错误管理(Error Handling)机制来提升闪存的控制器的验证效率的方法、相关的 记忆装置及其控制器，以解决上述问题。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案之一是构造一种提升闪存的控制器的 验证效率的方法，该方法包含有提供一错误产生模块，用来产生错误；以及触发该错误产 生模块主动地产生至少一特定类型的错误，以增加对应于该特定类型的错误发生率。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其另包含有针对该特定类型的错误，验证该 错误管理机制。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其另包含有利用位于该错误产生模块之外的一特定元件随机地触发该触发步骤所触发的运 作；或利用该特定元件依据一预定排程触发该触发步骤所触发的运作。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其中该错误产生模块包含一错误产生器；以及 该方法另包含有利用该错误产生器随机地触发该触发步骤所触发的运作；或利用该错误产生器依据一预定排程触发该触发步骤所触发的运作。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其中该错误产生模块包含一计时器与一错误 产生器；以及该方法另包含有利用该计时器计时器进行计时控制；以及利用该错误产生器依据该计时器的计时 控制来产生和时间相关的错误或调整产生错误的时间点。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其中该错误产生模块包含一错误产生器与一 修改单元；以及该方法另包含有利用该错误产生器来产生错误；以及利用该修改单元依据该错误产生器所产生的 错误来改变该闪存与该控制器之间的讯号，以产生该特定类型的错误。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其中该错误产生模块包含一错误产生器；以及 该方法另包含有利用该错误产生器迫使该控制器内的至少一元件回报该特定类型的错误。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其中该错误产生模块包含一错误产生器；以及 该方法另包含有利用该错误产生器来改变该控制器内的至少一元件的至少一参数，以产生该特定 类型的错误。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其中该至少一元件包含一时间控制器；一验证 与错误回报单元；及/或一错误更正码解码器。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其中该错误产生模块包含一错误产生器，其为 可编程错误产生器。进一步地，上述本专利技术所述的方法，其中该至少一特定类型的错误包含有错误更 正码错误；抹除错误；写入错误；及/或数据传输错误。本专利技术本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案之二是构造一种记忆装置，其 包含有一闪存，该闪存包含多个区块；以及一控制器，用来存取该闪存以及管理该多个区 块，并且另针对该控制器本身的错误管理机制来提升验证效率，其中该控制器包含有一错 误产生模块，用来产生错误；其中该控制器触发该错误产生模块主动地产生至少一特定类 型的错误，以增加对应于该特定类型的错误发生率。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该控制器针对该特定类型的错误，验 证该错误管理机制。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该控制器利用位于该错误产生模块 之外的一特定元件随机地触发该触发步骤所触发的运作、或利用该特定元件依据一预定排 程触发该触发步骤所触发的运作。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该错误产生模块包含一错误产生器；以及该控制器利用该错误产生器随机地触发该触发步骤所触发的运作、或利用该错误产生 器依据一预定排程触发该触发步骤所触发的运作。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该错误产生模块包含一计时器与一 错误产生器；该错误产生模块利用该计时器进行计时控制，并利用该错误产生器依据该计 时器的计时控制来产生和时间相关的错误或调整产生错误的时间点。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该错误产生模块包含一错误产生器 与一修改单元；以及该错误产生模块利用该错误产生器来产生错误，并利用该修改单元依 据该错误产生器所产生的错误来改变该闪存与该控制器之间的讯号，以产生该特定类型的 错误。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该错误产生模块包含一错误产生器； 以及该控制器利用该错误产生器迫使该控制器内的至少一元件回报该特定类型的错误。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该错误产生模块包含一错误产生器； 以及该控制器利用该错误产生器来改变该控制器内的至少一元件的至少一参数，以产生该 特定类型的错误。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该至少一元件包含一时间控制器；一 验证与错误回报单元；及/或一错误更正码解码器。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该错误产生模块包含一错误产生器， 其为可编程错误产生器。进一步地，上述本专利技术所述的记忆装置，其中该至少一特定类型的错误包含有错 误更正码错误；抹除错误；写入错误；及/或数据传输错误。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案之三是构造一种记忆装置的控制器， 该控制器用来存取一闪存，该闪存包含多个区块，该控制器包含有一只读存储器(Read Only Memory, ROM)，用来储存一程序代码；一微处理器，用来执行该程序代码以控制对该闪 存的存取以及管理该多个区块，并且另针对该控制器的错误管理机制来提升验证效率；以 及一错误产生模块，用来产生错误；其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提升闪存的控制器的验证效率的方法，其特征在于，该方法包含有：提供一错误产生模块，用来产生错误；以及触发该错误产生模块主动地产生至少一特定类型的错误，以增加对应于该特定类型的错误发生率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱昱玮，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]