【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种记忆体装置及其制造方法，特别是涉及一种。
技术介绍
在先前技术中，一非挥发性记忆体装置包括一基板、一浮动栅极、一控制栅极和一绝缘体。该绝缘体设置在该基板和该控制栅极之间，且该浮动栅极埋入该绝缘体中。该绝缘体包括一穿隧氧化层和一多晶硅间介电层。该穿隧氧化层设置在该基板和该浮动栅极之间，且该多晶硅间介电层设置在该浮动栅极和该控制栅极之间。采用小于20纳米技术层次的制造过程，具有上述结构的浮动栅极记忆体单元被生产出来。该浮动栅极记忆体单元在该浮动栅极的边缘上遭受与场拥挤效应相关的高多晶硅间介电漏电流。严重的多晶硅间介电漏电流造成小的规划窗与差的耐久性，并减少快闪记忆体的资料保留力。由此可见，上述现有的在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种非挥发性记忆体装置的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一第一导电结构，其中该第一导电结构具有一第一顶部；以及将该第一顶部转换为一第二顶部，该第二顶部具有一穹形表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卢棨彬，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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