具有位错结构的半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术公开了具有双层位错的半导体器件和制造该半导体器件的方法。示例性半导体器件和用于制造半导体器件的方法提高了载流子迁移率。该方法包括提供具有栅极叠层的衬底。该方法进一步包括：对衬底实施第一预非晶注入工艺，并且在衬底的上方形成第一应力膜。该方法还包括对衬底和第一应力膜实施第一退火工艺。该方法进一步包括：对经过退火的衬底实施第二预非晶注入工艺，在衬底的上方形成第二应力膜，对衬底和第二应力膜实施第二退火工艺。本发明专利技术还提供了一种具有位错结构的半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。在IC演进过程中，功能密度(即，每单位芯片面积中互连器件的数量)通常都在增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小元件(或线))减小。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这样的规模缩小还增加了处理和制造IC的复杂性，并且，对于将被实现的进步，需要在IC制造中进行的类似发展。例如，当诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体器件通过各种 技术节点缩小时，已经实现了应变源极/漏极部件(例如，应激源区域)，从而提高了载流子迁移率并且改善了器件性能。虽然形成用于IC器件的应激源区域的现有方法通常足以达到预期目的，但是现有方法不能在所有方面完全令人满意。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括提供具有栅极叠层的衬底；对所述衬底实施第一预非晶注入工艺；在所述衬底的上方形成第一应力膜；对所述衬底和所述第一应力膜实施第一退火工艺；对经过退火的所述衬底实施第二预非晶注入工艺；在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有栅极叠层的衬底；对所述衬底实施第一预非晶注入工艺；在所述衬底的上方形成第一应力膜；对所述衬底和所述第一应力膜实施第一退火工艺；对经过退火的所述衬底实施第二预非晶注入工艺；在所述衬底的上方形成第二应力膜；以及对所述衬底和所述第二应力膜实施第二退火工艺。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡俊雄，王参群，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：