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本发明公开了具有双层位错的半导体器件和制造该半导体器件的方法。示例性半导体器件和用于制造半导体器件的方法提高了载流子迁移率。该方法包括提供具有栅极叠层的衬底。该方法进一步包括：对衬底实施第一预非晶注入工艺，并且在衬底的上方形成第一应力膜。该...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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