旺宏电子股份有限公司专利技术

旺宏电子股份有限公司共有3210项专利

  • 本公开提供一种三维存储器元件,其包括堆叠结构、第一组通道结构与第二组通道结构、隔墙结构以及至少一个支撑结构。堆叠结构包括交替堆叠的多层导电层以及多层介电层。堆叠结构的顶表面平行于由第一方向与第二方向定义的平面。第一组通道结构与第二组通道...
  • 本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包含存储器阵列、感测电路及控制电路。存储器阵列包含多个存储器单元。多个存储器单元各自具有第一电阻值或大于第一电阻值的第二电阻值。当多个存储器单元皆具有第一电阻值时,存储器阵列的等效电阻值等...
  • 本发明提供一种存储器装置及存储器系统。存储器装置包含存储器字串。存储器字串用以储存一储存数据,并比较一输入数据与该储存数据以产生一字串电流信号。存储器字串包含多个存储器单元。存储器单元包含串联耦接的多个开关元件。当该输入数据的一量化值等...
  • 本公开提供一种感测放大装置、存储器感测方法及存储器装置。感测放大装置包含感测放大电路、参考晶体管及电流补偿电路。感测放大电路包含第一输入端及第二输入端,用以根据第一输入端及第二输入端之间的电压差产生感测信号。第一输入端耦接于单元存储器,...
  • 本发明提供一种存储器内计算用电路。存储器内计算用电路包括多个闩锁器及多个NOR门。各闩锁器具有字线、位线、互补位线、第一输出端与第二输出端。位线耦接至存储器阵列中的多个存储器串的其中一个的本地位线。互补位线耦接至存储器阵列中的存储器串的...
  • 本公开提供了一种存储器装置及存储器系统。该存储器装置包含一存储器字符串。存储器字符串包含多个第一开关元件以及多个第二开关元件。第二开关元件与第一开关元件交错排列并且串联耦接。当存储器字符串具有一第一电导值时,第一开关元件的每一开关元件具...
  • 本公开提供了一种存储器装置、其操作方法及存储器系统。该存储器装置包含存储器阵列、电压产生器及阵列控制电路。存储器阵列包含第一及第二阵列。电压产生器耦接存储器阵列。阵列控制电路耦接存储器阵列及电压产生器,用以:在存储器阵列的读写阶段中,控...
  • 本发明提供一种三维存储器及其操作方法。在三维存储器中,堆叠结构设置于介电基底上,且包括交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。每一个栅极层包括彼此分隔开的第一栅极与第二栅极。所述多个环状通道层各自对应于所述多个栅极层中的一个而设置于相邻的绝缘...
  • 本公开提供了一种存储器装置及存储器内数据搜索方法。存储器装置例如为三维与非门闪存,且提供高性能以及高容量的储存介质。存储器装置包括地址扫描仪、搜索数据发送器、读出数据感测及比较器、错误位侦测器以及匹配状态处理器。地址扫描仪提供搜索设定范...
  • 本发明提供一种三维闪存及其制造方法。所述三维闪存包括堆叠结构、环状的通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱与电荷储存结构。堆叠结构设置于介电基底上,且包括交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。绝缘层中具有气隙。通道柱设置介电基底上,且贯...
  • 本发明提供一种计算机储存装置及其分类方法。储存装置的分类方法包括:对一输入数据与多个第一权重进行一第一运算以产生多个第一运算结果。比较这些第一运算结果与一阈值,以得到一比较结果。根据该比较结果,从一储存单元读出相关于多个候选分类的多个第...
  • 本发明提供存储器装置及其数据储存方法。数据储存方法包括:由一数据控制器产生储存在一随机存取存储器中的一用户数据的一第一用户数据特征;由该数据控制器将该用户数据的该第一用户数据特征发送到一IMS存储器装置;将该第一用户数据特征与储存在该I...
  • 本发明公开了一种数据比对方法,存储器装置与其存储器控制器。数据比对方法包括:对输入数据进行预筛选操作,以从这些输入数据预筛选出多个候选匹配输入数据与多个第一不匹配输入数据。对这些候选匹配输入数据进行群测试,以比较这些候选匹配输入数据与多...
  • 本发明提供一种静电放电保护装置,包括基板、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一端以及第二端。第一阱区设置于基板中,且具有第一导电类型。第二阱区设置于第一阱区中,且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。第一掺杂区设置于基板中且...
  • 本公开提供了一种具有固态硬盘的模块。该模块包含具有上表面的基板、配置于基板的上表面上且具有第一阈值工作温度的控制单元、配置于基板的上表面上且具有第二阈值工作温度的第一储存单元、配置于该控制单元上的第一导热元件、以及配置于第一储存单元上的...
  • 本发明提供一种输入缓冲器,包含电流镜电路以及第一放大器。电流镜电路包含第一晶体管至第二晶体管。第一晶体管用以在第一节点耦接电流源。第二晶体管耦接第一晶体管且用以根据流经第一晶体管的第一电流在第二节点输出第二电流。第一放大器在第二节点与电...
  • 本发明提供一种三维半导体装置叠层、具有其的系统,及该三维半导体装置叠层的操作方法。三维半导体装置叠层包含第一与第二非易失性存储器阵列装置,以及功能性装置。第一与第二非易失性存储器阵列装置分别包含多个区块。功能性装置电性连接第一与第二非易...
  • 本公开提供了一种矩阵向量运算电路及其电路配置方法,该矩阵向量运算电路,用以呈现多个权重值。矩阵向量运算电路包含多个电阻串,多个电阻串各自包含多个权重单元。多个电阻串并联耦接于两个参考电压之间,且每个电阻串的多个权重单元串联耦接于该两个参...
  • 本发明提供一种存储器装置及其读取电压的设定方法。存储器装置例如为三维与非式闪存,且提供高性能以及高容量的储存媒介。读取电压的设定方法包括:根据多个第一读取电压区间对多个存储单元执行读取验证操作,并获得多个第一通过存储单元数量;偏移各第一...
  • 本发明提供一种存储器装置。存储器装置包含第一存储器字串及第二存储器字串。第一存储器字串包含一第一开关元件,并用以产生一第一单元电流信号。第二存储器字串包含一第二开关元件,并用以产生一第二单元电流信号,其中第一及第二开关元件用以操作为储存...
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