本发明提供一种存储器结构及存储器装置的控制方法。存储器结构包括多个第一晶体管以及多个第二晶体管。第一晶体管的第一端分别耦接至多条第一位线，第一晶体管的栅极端分别耦接至多条第一字线。第二晶体管的栅极端分别耦接至第一晶体管的第二端，第二晶体...

本发明提供一种存储器内计算电路及其执行操作的方法。存储器内计算电路包括一或多个输入线，接收M个输入数据要素，M大于零；存储单元阵列，包括一或多个子群组，一或多个子群组的每个子群组储存M个储存数据要素；乘法电路，连接到存储单元阵列和一个或...

本公开提供了一种存储器结构、存储器结构的制造方法和存储器结构的操作方法。存储器结构包括多层绝缘层、多层栅极层、第一掺杂层、多个通道层、柱状通道、多个第二掺杂层、第一介电层、多个第二介电层、第三介电层及多个第四介电层。第一掺杂层及柱状通道...

本公开提供了一种页缓冲电路和操作方法，适用于包括具有多个页面和多个位线的存储阵列页面读取装置。页缓冲电路包括以下元件：第一锁存器，经由位线从对应的页面接收权重向量，并经由数据输入/输出路径汇入输入向量，权重向量具有多个权重位数据，且输入...

本公开提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包含第一存储器单元、第一开关元件及第二开关元件。第一存储器单元用以储存第一数据位，并用以通过第一搜索位对第一数据位进行一搜索操作以产生第一电流信号。第一开关元件与第一存储器单元串联耦接，并...

本公开提供一种半导体结构，包含半导体基板，以及设置在半导体基板的表面上的散热元件。散热元件包含凸出部，各凸出部包含第一段与第二段，其中第一段的尺寸不同于第二段的尺寸。本公开还提供了一种制作半导体结构的方法。

本公开提供了一种集成电路结构及其操作方法。该集成电路结构包括基底以及第一电阻式存储器字符串。第一电阻式存储器字符串位于基底上方，第一电阻式存储器字符串包括多个存储器单元，多个存储器单元的每一存储器单元包括字线晶体管、栅极以及电阻。字线晶...

本公开提供了一种半导体结构及其操作方法。该半导体结构包括栅极、通道结构、栅极绝缘层、源极及漏极。通道结构包括阈值切换材料，其中通道结构包括层状通道、柱状通道或多个纳米片通道；栅极绝缘层设置于栅极与通道结构之间；源极直接接触通道结构；以及...

本公开提供一种储存装置及于其中管理数据安全的方法。于一方面，储存装置包括至少一存储器装置及耦接至至少一存储器装置的控制器。控制器用于：以第一类型密码演算法(cryptographic algorithm)加密(encrypt)第一数据，...

本公开提供一种半导体存储器装置及其数据储存方法。当判断一输入数据符合一目标格式时，根据该输入数据以产生一输入数据向量。当判断该输入数据相似于该存储器阵列的一目标区块内的一储存数据时，将该输入数据写入至该存储器阵列的该目标区块的一空白目标...

本公开提供了一种模拟数字转换装置，包括以下元件。感应电路，耦接于存储阵列的位线，并且用于感应位线的电流以产生位序列，位序列具有温度计码的型式以表示模拟数值。锁存逻辑电路，包括多个锁存器与多个逻辑电路以形成存储阵列的页缓冲器，并且用于根据...

本发明提供一种存储器装置及其运算方法。该存储器装置的运算方法包括：储存多个权重数据于该存储器装置的多个第一存储器单元。从多条串选择线输入多个输入数据。根据这些权重数据与这些输入数据，这些第一存储器单元产生多个存储器单元电流。这些存储器单...

本公开提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置的操作方法包括：选择一目标存储器单元与至少一复制存储器单元，该至少一复制存储器单元跟该目标存储器单元属于同一存储器串；将写入该目标存储器单元内的一目标权重值复制到该至少另一复制存储器单元内...

本发明提供一种过滤搜索方法，用于在数据集之中进行搜索，数据集包括多个数据点。过滤搜索方法包括以下步骤。根据数据点的相似度，将数据集区分为多个群集。根据数据点的分布密度，将各群集区分为内围部分与外围部分。对于全部的内围部分进行粗略搜索，以...

本公开提出一种存内计算(IMC)存储器装置及存内计算方法。IMC存储器装置的多个运算存储单元与多个平衡运算存储单元组成多个存储单元串。在进行编程时，依据该存储单元串内的这些运算存储单元的一第一阻抗状态个数而决定该存储单元串的这些平衡运算...

本公开提供一种三维存储器。该三维存储器包括多个块元、位线晶体管结构、第一上部导电层和第二上部导电层。位线晶体管结构设置于多个块元中的第一子块元与第二子块元之间。第一上部导电层包括多条区域位线、多条区域源极线和导电图案。多条区域位线包括彼...

本发明提供一种电子电路、存储器装置及补偿通道损耗造成的数据失真的方法。该电子电路包含数据输入端、时序调整电路、第一及第二逻辑电路、多工复用器及数据输出端。时序调整电路自数据输入端接收数据。时序调整电路包含两个路径，用以施加第一延迟及第二...

本公开提供一种集成电路及相变存储器装置，存储器装置中用于管理相变材料的方法、装置及设备。其中一方面，一种集成电路(例如存储器元件)包括：第一电极、第二电极及耦接至该第一电极与该第二电极之间的相变材料的基体。相变材料包含Si<sub...

本发明是一种存储器装置及其编程方法。存储器装置具有包括多个字线与虚拟字线组的存储单元阵列。编程方法包括：从多个字线择一选择字线，对选择字线施加编程电压以进行编程，且多个字线中选择字线以外者与虚拟字线组施加未选电压；对已编程选择字线进行编...

本发明提供一种非易失性存储器单元，包含电容器。电容器包含上电极、下电极、设置在上电极与下电极之间的铁电层，以及设置在上电极与下电极之间的非晶层，其中非晶层的原子排列形态不同于上电极与下电极的原子排列形态。一种非易失性存储器单元的制作方法...