本发明有关于一种电容结构，可应用于三维AND闪存元件。所述电容结构包括基底、阵列下电路结构、底部导电层、堆叠结构以及多个柱状结构。所述基底具有电容阵列区以及电容阶梯区。所述阵列下电路结构设置于所述基底上。所述底部导电层设置于所述阵列下电...

本公开提供了一种存储器元件的制造方法，至少包括以下步骤：在基底上形成第一内连线与第一介电层。对所述第一介电层进行第一化学机械抛光工艺。在所述第一介电层上方形成堆叠结构，并在所述堆叠结构中形成阶梯结构。在所述基底上形成第二介电层，以覆盖所...

本发明提供放大器电路及接收输入信号的方法。该放大器电路包含具有源极侧电阻电路的多个晶体管的输入对，电阻电路具有被偏压于三极管区域的晶体管及电流源。电阻电路结合于电容，导致放大器中的源极衰退。源极侧电阻电路包括第一MOS晶体管，第一MOS...

本发明公开储存系统及其操作方法。该操作方法包括：当一第一数据写入该储存系统时，该存储器控制电路将该第一数据分成一第一部分与一第二部分；该第一数据的该第一部分被该存储器控制电路写入至该第一类型存储器；以及该第一数据的该第二部分被该存储器控...

本公开提供了一种半导体接合结构及其制造方法。该半导体接合结构，其包括第一半导体芯片、至少一第二半导体芯片、应力调节结构以及导电层。至少一第二半导体芯片配置于第一半导体芯片上并且与第一半导体芯片电性连接。应力调节结构配置于第一半导体芯片与...

本公开提供半导体装置、用于半导体装置的系统以及由半导体装置执行的方法。半导体装置可包括具有高容量及/或高效能的三维与非闪存装置。在一个方面中，半导体装置包括：电压泵、被配置成耦合至电压泵的泵开关电路、以及包括耦合至泵开关电路的电压引脚的...

本公开提供了一种存储器系统和操作存储器系统的方法，存储器系统为基于具有高容量和/或能够高效能的3D NAND快闪存储器的存储器系统。该存储器系统包含存储器平面，存储器平面各自包含平面核心及特定资源集。针对多个存储器平面中的每一存储器平面...

本公开提供一种运算系统、其运算方法及搜索存储器。非易失性3D存储器搜索架构，用于接收多个搜索以应用至非易失性3D存储器的多条选择线及多条字线。此架构多个搜索的信息的每单元使用两条字线，以及储存特征的每单元使用两个存储器装置以反向搜索。此...

一种存储器元件的制造方法，可应用于具有高容量及高性能的三维NAND存储器元件。在三维NAND存储器元件的制造中，控制栅极(字元线)的材质为钨。钨层的形成方法，包括：进行成核步骤以及主体形成步骤。在成核步骤与主体形成步骤中的至少一个步骤中...

本公开是一种存储器元件及其形成方法，该存储器元件包括由下而上的基底、叠层和堆叠结构。多个垂直通道柱穿过堆叠结构和叠层。多个第一隔离结构配置在多个垂直通道柱侧边且穿过堆叠结构的下部。多个第二隔离结构分别配置在多个第一隔离结构上方，且穿过堆...

本公开提供了一种半导体电路、半导体装置和通用存储器的操作方法。通用存储器装置包括通用存储器单元的阵列。各通用存储器单元包括写入晶体管及读取晶体管。写入晶体管具有用于接收栅极电压以开启或关闭写入晶体管的栅极终端、用于接收写入电压的第一终端...

本公开提供了一种半导体装置。所述半导体装置包含一堆叠以及多个垂直柱状结构。堆叠包含交替排列的多个绝缘层与导电层，各导电层包含中心区块以及位于中心区块边缘的边缘区块，其中边缘区块的材料的电阻值低于中心区块的材料的电阻值。垂直柱状结构设置在...

本公开提供了一种半导体装置及其制作方法。该半导体装置包括：叠层，包括交替布置的多个绝缘层和多个字平面导体；设置在叠层中的垂直柱结构；以及多个外部电极。垂直柱状结构包括导电芯、内电极，以及双向阈值开关(ovonic threshold s...

本公开提供了一种多电路控制系统及其状态信息的读取方法。该多电路控制系统包括第一电路以及N个第二电路。第二电路例如为三维与非门快闪存储器电路，且多电路控制系统提供高性能以及高容量的储存介质。第一电路提供读取时钟信号。第二电路依序相互串接，...

本发明提供一种计算电路以及计算方法。在计算电路中，全域计数器被配置成提供计数值。电容器选择器电路系统被配置成相依于计数值而自多个电容器选择一或多个电容器，且其中选择一或多个电容器还相依于能够自与电路分离的代理者接收的多个经预编码的码，多...

本公开提供一种存储器感测电路，包括：感测电路，被配置成对存储单元阵列的所选择位线上的第一电流与第二电流之间的差进行感测且根据差而生成位线的输出；及全局可编程非常规计数器，被配置成相依于时钟信号而向感测电路中的每一者连续地提供计数值，其中...

本公开提供了一种集成电路结构及其形成与操作方法。集成电路结构包含衬底以及位于衬底上的存储单元。存储单元包含通道层、第一掺杂区域、第二掺杂区域、铁电材料层以与栅极层。第一掺杂区域位于通道层的第一侧，第一掺杂区域具有第一掺杂剂，第一掺杂剂属...

本公开提供了一种存储器装置及其制造方法。该存储器装置包括基板、底源极结构、多个栅极层及多个介电层、接触结构以及多个支柱结构。底源极结构设置在基板上。底源极结构包括底电极层、介电堆叠结构及阻挡结构。栅极层及介电层交错堆叠在底源极结构上。接...

本发明提供了一种对存储器进行编程的方法，包括执行多次编程触发，其中每个编程触发包括预充电阶段以及编程阶段，且包括以下步骤：首先，在预充电阶段时，对公共源极线施加公共源极线电压或对位线施加位线电压，其中通过在多个预充电阶段中使用增量步进脉...

本公开提供了一种执行损耗均衡的方法与存储器装置。该存储器装置包括多个区块。该执行损耗均衡方法包括：该存储器装置接收由一主机所传来的一待写入数据；预测该待写入数据属于一第一类型数据或一第二类型数据；参考该存储器装置的一擦除计数表缓冲区内的...