【技术实现步骤摘要】
本公开是有关于一种半导体接合结构及其制造方法，且特别是有关于一种具有应力调整结构的半导体接合结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着存储器容量的增加趋势，存储器所需制造的元件层数持续增加中。以现今的3d nand存储器为例，当用以储存数据的氧化硅-氮化硅-氧化硅(ono)叠层增加时，用以制造3d nand存储器的半导体晶圆便会开始出现明显的翘曲(warpage)。半导体晶圆的翘曲对于半导体晶圆之间的堆叠、对准以及接合十分不利，故半导体晶圆之间的接合良率会因前述的翘曲议题(warpage issue)而下降。因此，如何减低半导体晶圆的翘曲以进而增加半导体晶圆之间的接合良率，将是此
人员所亟欲改善的重要议题之一。此外，当3dnand存储器处于高频操作的情况时，其散热也是此
人员所关注的议题之一，因此，如何提升3d nand存储器的散热效能以及元件效能，同样是此
人员所亟欲改善的重要议题之一。
技术实现思路
1、本公开提供一种具有应力调整结构的半导体接合结构及其制造方法。
...【技术保护点】
1.一种半导体接合结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第一半导体芯片中的第一应力调节区域，且所述第一半导体芯片包括：
3.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第一半导体芯片中的第一应力调节区域，且所述第一半导体芯片包括：
4.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第一半导体芯片中的第一应力调节区域，且所述第一应力调节区域包括环形壁结构，且所述环形壁结构环绕所述第一半导体芯片。
5.根据权利要求1所述的半导体接合结构，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体接合结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第一半导体芯片中的第一应力调节区域，且所述第一半导体芯片包括：
3.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第一半导体芯片中的第一应力调节区域，且所述第一半导体芯片包括：
4.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第一半导体芯片中的第一应力调节区域，且所述第一应力调节区域包括环形壁结构，且所述环形壁结构环绕所述第一半导体芯片。
5.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第一半导体芯片中的第一应力调节区域，且所述第一应力调节区域包括多个柱状结构，所述多个柱状结构环绕所述第一半导体芯片配置，且所述多个柱状结构彼此分隔。
6.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第二半导体芯片中的第二应力调节区域，且所述第二半导体芯片包括：
7.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第二半导体芯片中的第二应力调节区域，且所述第二半导体芯片包括：
8.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第二半导体芯片中的第二应力调节区域，且所述第二半导体芯片包括：
9.根据权利要求8所述的半导体接合结构，其中所述第二应力调节区域的高度小于或等于所述第二半导体基材的厚度。
10.根据权利要求1所述的半导体接合结构，其中所述应力调节结构包括配置在第二半导体芯片中的第二应力调节区域，且所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕政宪，李明修，李岱萤，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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